ROHM, IGBT, N Kanal, 8 A 650 V, 3 Ben, TO-252GE Yta

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

1 404,50 kr

(exkl. moms)

1 755,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 490 enhet(er) från den 21 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
100 - 24014,045 kr
250 +13,014 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
265-325P
Tillv. art.nr:
RGT8BM65DGTL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

8A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

62W

Kapseltyp

TO-252GE

Typ av fäste

Yta

Kanaltyp

N

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Serie

RFN

Fordonsstandard

Nej

ROHM IGBT bidrar till energibesparande hög effektivitet och ett brett utbud av högspännings- och högströmstillämpningar. IGBT har en låg kollektor till emittermättnadsspänning, vilket gör den mycket effektiv för olika tillämpningar. Den erbjuder en kortslutningshålltid på 5 mikrosekunder, vilket säkerställer robust prestanda under felförhållanden. Dessutom är den utrustad med en inbyggd mycket snabb och mjuk återhämtningsdiod från RFN-serien.

Låg omkopplingsförlust

Blyplätering utan bly

RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.