STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal Enkel, 119 A 650 V, 3 Ben, TO-247 1 Genomgående hål

Se alla IGBT:er

Antal (1 enhet)*

41,22 kr

(exkl. moms)

51,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 25 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +41,22 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-009
Tillv. art.nr:
STGWA50M65DF2AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

119A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

576W

Antal transistorer

1

Kapseltyp

TO-247

Konfiguration

Enkel

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

15.70 to 15.90 mm

Längd

20.1mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics IGBT har utvecklats med hjälp av en avancerad egenutvecklad grindgate-fältstruktur. Enheten är en del av M-serien av IGBT, som representerar en optimal balans mellan invertersystemets prestanda och effektivitet där låg förlust och kortslutningsfunktionalitet är avgörande. Dessutom resulterar den positiva VCE(sat)-temperaturkoefficienten och den snäva parameterfördelningen i säkrare parallell drift.

Minimerad slutström

Tight parameterfördelning

Säkrare parallellisering