SSD Intern M.2 SSD 2 TB Transcend
- RS-artikelnummer:
- 683-006
- Tillv. art.nr:
- TS2TMTE760T
- Tillverkare / varumärke:
- Transcend
Antal (1 enhet)*
20 916,34 kr
(exkl. moms)
26 145,42 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 20 916,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 683-006
- Tillv. art.nr:
- TS2TMTE760T
- Tillverkare / varumärke:
- Transcend
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Transcend | |
| Minnesstorlek | 2TB | |
| Undertyp | SSD | |
| Produkttyp | SSD | |
| Intern/extern | Intern | |
| Formfaktor | M.2 | |
| Industriell kvalitet | Ja | |
| NAND-typ | 3D | |
| Gränssnittstyp | NVMe PCIe Gen 4 x4 | |
| Krypteringsnivå | 256-bitars AES-kryptering | |
| Minsta arbetsstemperatur | -20°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 75°C | |
| Höjd | 2.23mm | |
| Standarder/godkännanden | UKCA | |
| Bredd | 22mm | |
| Längd | 80mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Transcend | ||
Minnesstorlek 2TB | ||
Undertyp SSD | ||
Produkttyp SSD | ||
Intern/extern Intern | ||
Formfaktor M.2 | ||
Industriell kvalitet Ja | ||
NAND-typ 3D | ||
Gränssnittstyp NVMe PCIe Gen 4 x4 | ||
Krypteringsnivå 256-bitars AES-kryptering | ||
Minsta arbetsstemperatur -20°C | ||
Maximal arbetstemperatur 75°C | ||
Höjd 2.23mm | ||
Standarder/godkännanden UKCA | ||
Bredd 22mm | ||
Längd 80mm | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
Transcend SSD, 2 TB minnesstorlek, NVMe PCIe Gen 4 x4 gränssnittstyp – TS2TMTE760T
Denna SSD är en intern lagringsenhet som är utformad för högpresterande NVMe-applikationer i industriella miljöer. Den ansluts via ett PCIe Gen4 x4-gränssnitt i en M.2-formfaktor och är avsedd för användning där kompakt flashlagring med hög kapacitet krävs under krävande miljöförhållanden.
Funktioner och fördelar:
• Kapacitet på 2 TB möjliggör stor dataset och bildlagring
• NVMe PCIe Gen4 x4 ger överföringshastigheter med hög genomströmning
• 3D NAND ger ökad lagringstäthet för lång livslängd
• 256-bitars AES-kryptering säkrar lagrade data i vila
• Konstruktion av industriell kvalitet tolererar extrem driftsbelastning
• Arbetsområde från -20 °C till 75 °C stöder tuffa miljöer
• NVMe PCIe Gen4 x4 ger överföringshastigheter med hög genomströmning
• 3D NAND ger ökad lagringstäthet för lång livslängd
• 256-bitars AES-kryptering säkrar lagrade data i vila
• Konstruktion av industriell kvalitet tolererar extrem driftsbelastning
• Arbetsområde från -20 °C till 75 °C stöder tuffa miljöer
Användningsområden
• Lämpligt för inbyggda automationsstyrenheter som kräver lokal masslagring
• Idealisk för dataloggning i eltestsystem och instrumentering
• Används med industriella datorer i tillverkningsprocessstyrning
• Kan användas för inbyggd lagring i robotteknik och rörelsessystem
• Lämplig för Edge Computing i fjärrövervakningsinstallationer
• Idealisk för dataloggning i eltestsystem och instrumentering
• Används med industriella datorer i tillverkningsprocessstyrning
• Kan användas för inbyggd lagring i robotteknik och rörelsessystem
• Lämplig för Edge Computing i fjärrövervakningsinstallationer
Vilket fysiskt fotavtryck tar det upp för planering av kortlayout?
Den använder M.2 2280-fotavtryck med en bredd på 22 mm och en längd på 80 mm, vilket möjliggör kompakt placering på kompatibla bärkretskort.
Hur hanterar den förhöjda kopplingstemperaturer under långvariga arbetsbelastningar?
Enheten är klassad för drift upp till en maximal temperatur på 75 °C, vilket stöder kontinuerlig drift i termiskt utmanande platser.
Är den lämplig för integrering i förseglade elskåp?
Ja, dess industriella klassning och temperaturtolerans gör den lämplig för sluten utrustning där omgivningsförhållandena kan variera.
Vilken NAND-arkitektur används och vilken inverkan har det på uthålligheten?
Den använder 3D NAND, vilket ökar cellstaplingen för högre densitet och bidrar till förbättrade uthållighetsprofiler för program/radering jämfört med Planar NAND.