Renesas Electronics HIP2101EIBZ MOSFET Gate Driver, 3 A 8-Pin 100 V, SOIC

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

104,27 kr

(exkl. moms)

130,338 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 904 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 852,135 kr104,27 kr
10 - 4846,93 kr93,86 kr
50 - 9844,35 kr88,70 kr
100 - 24838,305 kr76,61 kr
250 +36,40 kr72,80 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-0589
Tillv. art.nr:
HIP2101EIBZ
Tillverkare / varumärke:
Renesas Electronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Renesas Electronics

Product Type

Gate Driver Module

Output Current

3A

Pin Count

8

Package Type

SOIC

Fall Time

10ns

Driver Type

MOSFET

Rise Time

10ns

Minimum Supply Voltage

100V

Maximum Supply Voltage

100V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Height

1.7mm

Series

HIP2101

Standards/Approvals

RoHS

Width

3.98 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
PH
The Renesas Electronics gate drivers is a high frequency half-bridge NMOS FET driver with a tri-level PWM input with an operating supply and integrated high-side bootstrap bias, it supports driving the high-side and low-side NMOS in halfbridge applications.

Programmable dead-time prevents shoot-through

Bi-directional converter

relaterade länkar