Renesas Electronics MOSFET Gate Driver, 1.69 mA 10-Pin 100 V, SOIC

Se alla Gate Drivers
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 750 enheter)*

11 566,50 kr

(exkl. moms)

14 458,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
750 - 225015,422 kr11 566,50 kr
3000 +14,984 kr11 238,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
264-3549
Tillv. art.nr:
HIP2210FRTZ
Tillverkare / varumärke:
Renesas Electronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Renesas Electronics

Product Type

Gate Driver Module

Output Current

1.69mA

Pin Count

10

Fall Time

790ns

Package Type

SOIC

Driver Type

MOSFET

Rise Time

20ns

Minimum Supply Voltage

100V

Maximum Supply Voltage

100V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Width

4 mm

Length

5mm

Series

HIP2210

Standards/Approvals

RoHS

Height

1.75mm

Automotive Standard

No

The Renesas Electronics high-frequency half-bridge NMOS FET drivers. This is a tri-level PWM input with programmable dead time. Its wide operating supply range of 6V to

18V and integrated high-side bootstrap diodecsupports driving the high-side and low-side NMOS in 100V half-bridge applications.

Integrated 0.5Ω typical bootstrap diode

Robust noise tolerance

VDD and boot undervoltage lockout

relaterade länkar