Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 20 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 226-6194P
- Tillv. art.nr:
- IRS2118STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
285,05 kr
(exkl. moms)
356,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 310 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 50 - 90 | 5,701 kr |
| 100 - 240 | 5,443 kr |
| 250 - 490 | 5,219 kr |
| 500 + | 4,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6194P
- Tillv. art.nr:
- IRS2118STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 290mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 65ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Antal utgångar | 5 | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 75ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Längd | 5mm | |
| Bredd | 4 mm | |
| Serie | IRS | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fästetyp | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 290mA | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 65ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Antal utgångar 5 | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 75ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Höjd 1.75mm | ||
Längd 5mm | ||
Bredd 4 mm | ||
Serie IRS | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fästetyp Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IRS2118 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS outputs. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side or low-side configuration which operates up to 600 V.
Gate drive supply range from 10 V to 20V
Undervoltage lockout
CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
Output in phase with input