STMicroelectronics MOSFET, Gate-drivare 1, 4 A, 8 Ben 6.5 V, SO-8W

Se alla Gate-drivare
Mängdrabatt möjlig

Antal 4 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

145,16 kr

(exkl. moms)

181,44 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter
Per enhet
4 +36,29 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
273-5090P
Tillv. art.nr:
STGAP2SICSCTR
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

Gate-drivare

Utström

4A

Antal ben

8

Falltid

30ns

Kapseltyp

SO-8W

Typ av drivsteg

MOSFET

Minsta matningsspänning

6.5V

Maximal matningsspänning

6.5V

Antal drivare

1

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Längd

6.05mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

2.65mm

Serie

STGAP2SICSCTR

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
TW
The STMicroelectronics galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs. It is a single gate driver which provides galvanic isolation between the gate driving channel and the low voltage control and interface circuitry. The gate driver is characterized by 4 A capability and rail to rail outputs, making the device also suitable for mid and high power applications such as power conversion and motor driver inverters in industrial applications.

Separate sink and source option for easy gate driving configuration

UVLO function

Temperature shut-down protection

Standby function