Renesas Electronics MOSFET, MOSFET, 2 A, 8 Ben 14V, SOIC-8
- RS-artikelnummer:
- 263-6913
- Tillv. art.nr:
- HIP2100IBZT
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
56,87 kr
(exkl. moms)
71,09 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 2 346 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 28,435 kr | 56,87 kr |
| 50 - 98 | 27,665 kr | 55,33 kr |
| 100 - 248 | 26,935 kr | 53,87 kr |
| 250 - 998 | 26,265 kr | 52,53 kr |
| 1000 + | 25,59 kr | 51,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 263-6913
- Tillv. art.nr:
- HIP2100IBZT
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Renesas Electronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 2A | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 10ns | |
| Kapseltyp | SOIC-8 | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 20ns | |
| Minsta matningsspänning | 9V | |
| Maximal matningsspänning | 14V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Bredd | 3.99mm | |
| Serie | HIP2100 | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 1.7mm | |
| Längd | 4.98mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Renesas Electronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 2A | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 10ns | ||
Kapseltyp SOIC-8 | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 20ns | ||
Minsta matningsspänning 9V | ||
Maximal matningsspänning 14V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Bredd 3.99mm | ||
Serie HIP2100 | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 1.7mm | ||
Längd 4.98mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Renesas Electronics billiga, högfrekventa N-kanal MOSFET-drivkrets med N-kanal. Låg- och högsidiga grinddrivare styrs oberoende och matchas till 8 ns. Detta ger användaren maximal flexibilitet i val av dödtid och drivprotokoll. Underspänningsskydd på både låg- och hög-sidan av matningar tvingar utgångarna låga.
Snabba propagationstider för multi-MHz-kretsar
CMOS-ingångsgränser för förbättrad brusimmunitet
Oberoende ingångar för topologier utan halvbrygga
Inga startproblem
Relaterade länkar
- Renesas Electronics MOSFET, MOSFET, 2 A, 8 Ben 14V, SOIC-8
- Renesas Electronics MOSFET, MOSFET 2, 2 A, 8 Ben 14V, SOIC
- Renesas Electronics MOSFET, MOSFET 2, 4 A, 8 Ben 14V, SOIC
- Renesas Electronics Halvbrygga, Gate-drivarmodul 2, 2 A, 8 Ben 14V dc, SOIC
- Renesas Electronics MOSFET, MOSFET, 4 A, 8 Ben 5V, SOIC
- Renesas Electronics MOSFET, MOSFET, 3.4 A, 8 Ben 20V, SOIC
- Renesas Electronics MOSFET, MOSFET 2, 2 A, 8 Ben 15V, SOIC
- Renesas Electronics MOSFET, MOSFET 2, 4 A, 8 Ben 15V, SOIC