Infineon MOSFET, MOSFET 1, 3.3 A, 16 Ben 18V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 260-5923
- Tillv. art.nr:
- IR2125SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rör med 45 enheter)*
948,33 kr
(exkl. moms)
1 185,39 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 530 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 45 + | 21,074 kr | 948,33 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 260-5923
- Tillv. art.nr:
- IR2125SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 3.3A | |
| Antal ben | 16 | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Falltid | 26ns | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 43ns | |
| Minsta matningsspänning | 0V | |
| Antal drivare | 1 | |
| Maximal matningsspänning | 18V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | IR21xx | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 3.3A | ||
Antal ben 16 | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Falltid 26ns | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 43ns | ||
Minsta matningsspänning 0V | ||
Antal drivare 1 | ||
Maximal matningsspänning 18V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie IR21xx | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon EiceDRIVER 500 V high side gate driver IC med typiska strömmar på 1,6 A source och 3,3 A sink i 16 Lead SOICWB-paket för IGBTs och MOSFETs. Skyddskretsen detekterar överström i den drivna effekttransistorn och begränsar spänningen i grindstyrningen.
Spärr vid underspänning
Fullt funktionsduglig till +500 V
Utgång i fas med ingång
Strömdetekterings- och begränsningsslinga för att begränsa strömmen i drivna effekttransistorer
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, MOSFET 1, 3.3 A, 16 Ben 18 V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET 2, -1 A, 18 Ben 18V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET 2, 2.5 A, 16 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET 2, 2 A, 16 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, Höghastighets-MOSFET- och IGBT-drivare, 2 A, 16 Ben 1225V, SOIC
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, MOSFET 2, 2.5 A, 16 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, Drivkrets för effekt-MOSFET/IGBT, 3 A, 16 Ben 200V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 8 Ben 600V, SOIC
