Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul 2, 2.5 A 20V, DSO
- RS-artikelnummer:
- 258-0610
- Tillv. art.nr:
- 2ED21814S06JXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
33 980,00 kr
(exkl. moms)
42 475,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 13,592 kr | 33 980,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0610
- Tillv. art.nr:
- 2ED21814S06JXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gate-drivarmodul | |
| Utström | 2.5A | |
| Kapseltyp | DSO | |
| Falltid | 15ns | |
| Typ av drivsteg | Gate-drivare | |
| Stigtid | 200ns | |
| Minsta matningsspänning | 10V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Serie | 2ED21814S06J | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gate-drivarmodul | ||
Utström 2.5A | ||
Kapseltyp DSO | ||
Falltid 15ns | ||
Typ av drivsteg Gate-drivare | ||
Stigtid 200ns | ||
Minsta matningsspänning 10V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Antal drivare 2 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Serie 2ED21814S06J | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 650 V hög- och lågsidiga grinddrivare med hög ström och hög hastighet för att driva MOSFET och IGBT, med typisk 2,5 A sink- och källström i DSO-14-paket. Baserat på Infineon SOI-teknik, med utmärkt robusthet och brusimmunitet mot negativa transientspänningar på VS-stift. Inga parasitiska tyristorstrukturer finns i enheten, därför ingen parasitisk låsning vid alla temperatur- och spänningsförhållanden.
Integrerad ultrasnabb bootstrap-diod med låg resistans, lägre BOM-kostnad
Hög- och lågspänningsstift separerade för maximal krypningsålder och avstängning
Separat logik- och strömjord
Relaterade länkar
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul 2, 2.5 A 20 V, DSO
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 8 Ben 20 V, DSO
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 2.5 A, 18 Ben 18 V, PG-DSO-18-2
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul 2, 8 A, 16 Ben 20 V, DSO-16
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 5 A, 14 Ben 20 V, PG-DSO-8
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 290 mA, 14 Ben 20 V, DSO
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 9 A 40 V, PG-DSO
- Infineon Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 9.8 A, 8 Ben 15 V, DSO
