STMicroelectronics MOSFET, MOSFET, 4 A, 8 Ben 3.1 V, SO-8

STMicroelectronics STGAP2SICSN är en enkel grinddrivare som ger galvanisk isolering mellan grindstyrningskanal och lågspänningsstyrning och gränssnittskretsar. Gate-drivrutinen kännetecknas av 4 A kapacitet och räls-till-räls-utgångar, vilket gör enheten också lämplig för medel- och högeffektsanvändningar som effektomvandling och motordrivrutinsomvandlare i industriella tillämpningar. Enheten finns i två olika konfigurationer. Konfigurationen med separata utgångsben gör det möjligt att oberoende optimera på- och avstängning med hjälp av dedikerade grindresistorer. Konfigurationen med enkel utgångsstift och Miller CLAMP-funktion förhindrar grindspikar vid snabba omkopplingar i topologier med halv bro. Båda konfigurationerna ger hög flexibilitet och minskad materialkostnad för externa komponenter.

Total fördröjning för förökning av ingång-utgång: 75 ns

Enheten integrerar skyddsfunktioner: UVLO med optimerat värde för SiC MOSFET och termisk avstängning ingår för att enkelt designa system med hög tillförlitlighet. Dubbla ingångsstift gör det möjligt att välja styrsignalens polaritet och även att implementera HW-spärrskydd för att undvika korskoppling i händelse av fel på styrenheten. Resultaten av ingångs- till utgångspropagationsfördröjning finns inom 75 ns, vilket ger hög PWM-styrningsnoggrannhet. Ett standbyläge är tillgängligt för att minska strömförbrukningen i viloläge.