STMicroelectronics MOSFET, MOSFET, 4 A, 36 Ben 5.5 V, SO-36W

STMicroelectronics STGAP2HD är ett dubbelt grinddrivdon som ger galvanisk isolering mellan varje grinddrivkanal och lågspänningskretsarna för styrning och gränssnitt. Gate-drivdonet har en strömkapacitet på 4 A och rail-to-rail-utgångar, vilket gör den lämplig för applikationer med medelhög och hög effekt, t.ex. kraftomvandling och inverterare för industriella motorstyrningar. De separerade utgångsstiften gör det möjligt att optimera tillslag och frånslag oberoende av varandra genom att använda dedikerade grindmotstånd, medan Miller CLAMP-funktionen gör det möjligt att undvika grindspikar under snabba kommutationer i halvbrytartopologier. Enheten har inbyggda skyddsfunktioner: dedikerade SD- och BRAKE-stift finns tillgängliga, UVLO och termisk avstängning ingår för att enkelt kunna konstruera system med hög tillförlitlighet.

4 A Miller klämma

I halvbrytartopologier förhindrar förreglingsfunktionen att utgångarna blir höga samtidigt, vilket gör att man undviker genomslag vid felaktiga logiska ingångskommandon. Förreglingsfunktionen kan avaktiveras via ett särskilt konfigurationsstift, vilket möjliggör oberoende och parallell drift av de två kanalerna. Fördröjningen mellan ingång och utgång ligger inom 75 ns, vilket ger hög noggrannhet i PWM-styrningen. Ett standby-läge finns tillgängligt för att minska strömförbrukningen vid tomgång.