Infineon MOSFET, MOSFET 1, 8 A, 16 Ben 3.5V, DSO

Se alla Gate-drivare
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
222-4758
Tillv. art.nr:
1EDF5673FXUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Utström

8A

Antal ben

16

Kapseltyp

DSO

Falltid

4.5ns

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

6.5ns

Minsta matningsspänning

4V

Maximal matningsspänning

3.5V

Antal drivare

1

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Längd

10.3mm

Höjd

2.35mm

Standarder/godkännanden

No

Serie

1EDF5673F

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

Nej

Infineons enkanals galvaniskt isolerade grinddrivare IC 1EDF5673F passar perfekt för galliumnitrid (GaN) HEMT i förstärkningsläge (e-läge) med oisolerad grind (diodingång) och låg tröskelspänning, t.ex. CoolGaNTM. Den säkerställer robust och mycket effektiv drift av högspännings-GaN-omkopplare samtidigt som den minimerar FoU-ansträngningar och förkortar tiden till marknaden.

Utgångar med låg ohm

Galvanisk isolering med en kanal

Integrerad galvanisk isolering

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.