IXYS MOSFET, MOSFET 2, 2 A, 8 Ben 35V, SOIC

Se alla Gate-drivare

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

26 046,00 kr

(exkl. moms)

32 558,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +13,023 kr26 046,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
213-1625
Tillv. art.nr:
IXDN602SITR
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Utström

2A

Antal ben

8

Kapseltyp

SOIC

Falltid

6.5ns

Antal utgångar

2

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

7.5ns

Minsta matningsspänning

4.5V

Antal drivare

2

Maximal matningsspänning

35V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Serie

IXDN602

Bredd

4mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.7mm

Längd

5mm

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

Nej

IXYS-drivdonet är ett dubbelt höghastighets gate-drivdon som är särskilt väl lämpat för att driva de senaste MOSFET:erna och IGBT:erna. Var och en av de två utgångarna kan vara både source och sink. Drivdonet är konfigurerat som ett dubbelt icke-inverterande drivdon.

Matchade stig- och falltider

Låg propagationsfördröjning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.