AEC-Q100 Skyworks Solutions Inc MOSFET, Isolerad gate.drivare 2, 4 A, 14 Ben 30V, QFN

Si8273AB-IM1-enheter ger alternativ för VIA-, VIB-ingångar och High Side/Low Side-drivare. Si8273AB-IM1, med sin högpresterande brusimmunitet, eliminerar risken som uppstår av snabbare omkopplingshastigheter. De höga brustransienter som genereras av den snabbare omkopplingen påverkar inte signalintegriteten genom drivaren, vilket eliminerar risken för förlust av modulering. Den mycket höga latch-up-specifikationen på 400 kV/μs gör Si8273AB-IM1-enheter extremt robusta, vilket förhindrar permanenta latch-up-skador och har UVLO-felskydd, en de-glitch-krets för filtrering av brusiga ingångar och mycket exakt programmerbarhet för dödtid (DT-pin). Med denna funktion kan användare exakt styra ”dödtiden” mellan de två drivarna som växlar för att optimera systemets effektivitet och säkerhet. Drivarna fungerar med ett brett intervall av 2,5 V - 5,5 V ingång VDD och en maximal drivarmatningsspänning på 30 V.