Microchip MOSFET, Dubbel MOSFET-drivkrets 2, 3 A, 8 Ben 18 V, SOIC

Se alla Gate-drivare

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

65,67 kr

(exkl. moms)

82,09 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 750 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +6,567 kr65,67 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
176-5565
Tillv. art.nr:
MCP14A0305T-E/SN
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Produkttyp

Dubbel MOSFET-drivkrets

Utström

3A

Antal ben

8

Kapseltyp

SOIC

Falltid

19ns

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

19ns

Minsta matningsspänning

4.5V

Maximal matningsspänning

18V

Antal drivare

2

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Standarder/godkännanden

200 V (MM), ESD Protection: 2 kV (HBM)

Längd

4.9mm

Höjd

1.25mm

Serie

MCP14A0305

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
TH
MCP14A0303/4/5-enheterna är höghastighets-MOSFET-drivkretsar med dubbla utgångar som kan leverera upp till 3,0 A toppström samtidigt som de drivs från en enkel strömförsörjning på 4,5 V till 18 V. Det finns tre utgångskonfigurationer tillgängliga: inverterande (MCP14A0303), icke-inverterande (MCP14A0304) och gratis (en inverterande och en icke-inverterande utgång - MCP14A0305). Dessa enheter har låg genomströmning, snabba stig- och falltider och korta propagationsfördröjningar, vilket gör dem idealiska för tillämpningar med hög omkopplingsfrekvens.

Hög topputgångsström: 3.0 A

Brett inspänningsområde: 4.5 V till 18 V

Låg genomgående/korsande ledningsström i utgångssteg

Hög kapacitiv lastdrivkapacitet: 1800 pF på 12 ns

Korta fördröjningstider: 17 ns (tD1), 21 ns (tD2)

Låg matningsström: 620 μA

Tröskelingång för låg spänning och aktivering med hysteres

Latch-Up-skyddad: motstår 500 mA omvänd ström

Relaterade länkar