Microchip Dubbel, Gate-drivare 2, 1.2 A, 8 Ben 16 V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 649-383
- Tillv. art.nr:
- TC1427COA
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
63,39 kr
(exkl. moms)
79,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 500 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 12,678 kr | 63,39 kr |
| 50 - 245 | 11,178 kr | 55,89 kr |
| 250 - 495 | 10,058 kr | 50,29 kr |
| 500 + | 7,974 kr | 39,87 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 649-383
- Tillv. art.nr:
- TC1427COA
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | Gate-drivare | |
| Utström | 1.2A | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 35ns | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Antal utgångar | 2 | |
| Typ av drivsteg | Dubbel | |
| Stigtid | 35ns | |
| Minsta matningsspänning | 16V | |
| Maximal matningsspänning | 16V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Minsta arbetsstemperatur | 0°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 70°C | |
| Serie | TC1426/TC1427/TC1428 | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp Gate-drivare | ||
Utström 1.2A | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 35ns | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Antal utgångar 2 | ||
Typ av drivsteg Dubbel | ||
Stigtid 35ns | ||
Minsta matningsspänning 16V | ||
Maximal matningsspänning 16V | ||
Antal drivare 2 | ||
Minsta arbetsstemperatur 0°C | ||
Maximal arbetstemperatur 70°C | ||
Serie TC1426/TC1427/TC1428 | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TH
The Microchip 1.2 A dual high- speed gate drivers and CMOS fabrication is used for low power consumption and high efficiency. These devices are fabricated using an epitaxial layer to effectively short out the intrinsic parasitic transistor responsible for CMOS latch-up. They incorporate a number of other design and process refinements to increase their long-term reliability.
Latch-Up Protected is Will Withstand
500 mA Reverse Output Current
ESD Protected is ±2 kV
High Capacitive Load Drive Capability is 1,000 pF in 38 ns
