AEC-Q100 Microchip MOSFET, Gate-drivare 2, 9 A, 8 Ben 18 V, TDFN
- RS-artikelnummer:
- 644-283P
- Tillv. art.nr:
- MCP14A0902T-E/MNYVAO
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Mängdrabatt möjlig
Antal 20 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
444,60 kr
(exkl. moms)
555,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 20 - 98 | 22,23 kr |
| 100 - 198 | 19,88 kr |
| 200 + | 17,585 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 644-283P
- Tillv. art.nr:
- MCP14A0902T-E/MNYVAO
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | Gate-drivare | |
| Utström | 9A | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | TDFN | |
| Falltid | 22ns | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 27ns | |
| Minsta matningsspänning | 18V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Maximal matningsspänning | 18V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Höjd | 0.85mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q100 | |
| Serie | MCP14A0901/2 | |
| Längd | 3mm | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp Gate-drivare | ||
Utström 9A | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp TDFN | ||
Falltid 22ns | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 27ns | ||
Minsta matningsspänning 18V | ||
Antal drivare 2 | ||
Maximal matningsspänning 18V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Höjd 0.85mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q100 | ||
Serie MCP14A0901/2 | ||
Längd 3mm | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
- COO (ursprungsland):
- TH
The Microchip Dual output high-speed MOSFET gate drivers are capable of providing up to 9 A of peak current while operating from a single 4.5 V to 18 V supply. These devices feature low shoot through current, fast rise and fall times, and short propagation delays which make them ideal for high switching frequency applications. This MOSFET gate drivers devices offer enhanced control with enable functionality.
Low shoot-through/cross-conduction current in output stage
Low supply current of 360 μA
Low-voltage threshold input and enable with hysteresis
Latch-up protected and withstands 0.5 A reverse current