Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul 6, 165 mA, 28 Ben 17.5 V, PG-DSO-28
- RS-artikelnummer:
- 351-980
- Tillv. art.nr:
- 6EDL04I065NTXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
66,68 kr
(exkl. moms)
83,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 33,34 kr | 66,68 kr |
| 20 - 198 | 30,07 kr | 60,14 kr |
| 200 - 998 | 27,665 kr | 55,33 kr |
| 1000 - 1998 | 25,65 kr | 51,30 kr |
| 2000 + | 23,07 kr | 46,14 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 351-980
- Tillv. art.nr:
- 6EDL04I065NTXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gate-drivarmodul | |
| Utström | 165mA | |
| Antal ben | 28 | |
| Kapseltyp | PG-DSO-28 | |
| Falltid | 26ns | |
| Typ av drivsteg | Hög sida | |
| Antal utgångar | 6 | |
| Stigtid | 60ns | |
| Minsta matningsspänning | 13V | |
| Antal drivare | 6 | |
| Maximal matningsspänning | 17.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC47/20/22 | |
| Serie | 6EDL04 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gate-drivarmodul | ||
Utström 165mA | ||
Antal ben 28 | ||
Kapseltyp PG-DSO-28 | ||
Falltid 26ns | ||
Typ av drivsteg Hög sida | ||
Antal utgångar 6 | ||
Stigtid 60ns | ||
Minsta matningsspänning 13V | ||
Antal drivare 6 | ||
Maximal matningsspänning 17.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC47/20/22 | ||
Serie 6EDL04 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon Three-phase gate driver 2nd generation is a full bridge driver to control power devices like IGBTs in 3-phase systems with a maximum blocking voltage. Based on the used SOI-technology there is an excellent ruggedness on transient voltages. No parasitic thyristor structures are present in the device. Hence, no parasitic latch-up may occur at all temperatures and voltage conditions
Higher efficiency
Increased reliability
Easy of design