Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul 6, 165 mA, 25 Ben 17.5 V, PG-TSSOP-25
- RS-artikelnummer:
- 351-977
- Tillv. art.nr:
- 6EDL04N065PRXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
141,89 kr
(exkl. moms)
177,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 28,378 kr | 141,89 kr |
| 50 - 95 | 26,97 kr | 134,85 kr |
| 100 + | 24,954 kr | 124,77 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 351-977
- Tillv. art.nr:
- 6EDL04N065PRXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Gate-drivarmodul | |
| Utström | 165mA | |
| Antal ben | 25 | |
| Falltid | 26ns | |
| Kapseltyp | PG-TSSOP-25 | |
| Typ av drivsteg | Hög sida | |
| Antal utgångar | 6 | |
| Stigtid | 100ns | |
| Minsta matningsspänning | 10V | |
| Maximal matningsspänning | 17.5V | |
| Antal drivare | 6 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC47/20/22 | |
| Serie | 6EDL04 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Gate-drivarmodul | ||
Utström 165mA | ||
Antal ben 25 | ||
Falltid 26ns | ||
Kapseltyp PG-TSSOP-25 | ||
Typ av drivsteg Hög sida | ||
Antal utgångar 6 | ||
Stigtid 100ns | ||
Minsta matningsspänning 10V | ||
Maximal matningsspänning 17.5V | ||
Antal drivare 6 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC47/20/22 | ||
Serie 6EDL04 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon Three-phase gate driver 3rd generation is a full bridge driver to control power devices like MOS-transistors in 3-phase systems with a maximum blocking voltage. Based on the used SOI-technology there is an excellent ruggedness on transient voltages. No parasitic thyristor structures are present in the device. Hence, no parasitic latch-up may occur at all temperatures and voltage conditions
Smallest footprint package solution
Higher efficiency
Increased reliability
Higher breakdown voltage
Easy of design