ROHM, GaN FET 1, 11 A, 8 Ben 650V
- RS-artikelnummer:
- 264-698P
- Tillv. art.nr:
- GNP1150TCA-ZE2
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Få en mängdrabatt
Lägg till 200 till för att spara 7%
Visa alternativ för volympriserAntal 20 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
1 185,00 kr
(exkl. moms)
1 481,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Håller på att utgå
- Slutlig(a) 74 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 20 - 198 | 59,25 kr | - |
| 200 + | 54,655 kr | 7% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-698P
- Tillv. art.nr:
- GNP1150TCA-ZE2
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | GaN FET | |
| Utström | 11A | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 8.3ns | |
| Antal utgångar | 1 | |
| Stigtid | 5.3ns | |
| Antal drivare | 1 | |
| Maximal matningsspänning | 650V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 8mm | |
| Höjd | 900μm | |
| Längd | 8mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Serie | GNP1150TCA-Z NA | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp GaN FET | ||
Utström 11A | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 8.3ns | ||
Antal utgångar 1 | ||
Stigtid 5.3ns | ||
Antal drivare 1 | ||
Maximal matningsspänning 650V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 8mm | ||
Höjd 900μm | ||
Längd 8mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Serie GNP1150TCA-Z NA | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
ROHM E-mode galliumnitrid (GaN) FET är en 650 V GaN HEMT som har uppnått branschens högsta klass FOM (Ron Ciss Ron Coss). Det är en produkt i EcoGaN-serien som bidrar till effektiv strömomvandling och storleksreducering genom att på bästa sätt utnyttja lågt PÅ-motstånd och höghastighetsomkoppling. ESD-skyddsfunktion är inbyggd för hög tillförlitlighet. Dessutom ger de mycket mångsidiga kapslingarna utmärkt värmeavledning och underlättar montering.
650 V E-läge GaN FET
70 mΩ resistans
5,2 nC grindladdning