STMicroelectronics Hög sida, Gate-drivarmodul 2, 650 mA, 8 Ben 17V, SO-8
- RS-artikelnummer:
- 152-015P
- Tillv. art.nr:
- L6387ED013TR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
694,40 kr
(exkl. moms)
868,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 430 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 50 - 245 | 13,888 kr |
| 250 - 495 | 13,574 kr |
| 500 + | 12,678 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 152-015P
- Tillv. art.nr:
- L6387ED013TR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Gate-drivarmodul | |
| Utström | 650mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Falltid | 30ns | |
| Typ av drivsteg | Hög sida | |
| Stigtid | 50ns | |
| Minsta matningsspänning | 17V | |
| Maximal matningsspänning | 17V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -50°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Serie | L6387ED013TR | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Gate-drivarmodul | ||
Utström 650mA | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Falltid 30ns | ||
Typ av drivsteg Hög sida | ||
Stigtid 50ns | ||
Minsta matningsspänning 17V | ||
Maximal matningsspänning 17V | ||
Antal drivare 2 | ||
Minsta arbetsstemperatur -50°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Serie L6387ED013TR | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Typ av fäste Yta | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics enkla och kompakta högspännings grinddrivrutiner, tillverkade med BCD ”offline”-teknik, och kan driva en halv bro av effekt-MOSFET- eller IGBT-enheter. Den höga sidan (flytande) är aktiverad för att fungera med spänningsskena upp till 600 V. Båda enhetens utgångar kan oberoende sänka och källa 650 mA respektive 400 mA och kan inte drivas högt samtidigt tack vare en integrerad låsningsfunktion.
Inre bootstrap-diod
Utgångar i fas med ingångar
Låsningsfunktion