STMicroelectronics Hög sida, Gate-drivarmodul 2, 650 mA, 8 Ben 17 V, SO-8
- RS-artikelnummer:
- 152-015P
- Tillv. art.nr:
- L6387ED013TR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
657,40 kr
(exkl. moms)
821,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 480 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 50 - 95 | 13,148 kr |
| 100 - 495 | 12,208 kr |
| 500 - 995 | 11,244 kr |
| 1000 + | 10,774 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 152-015P
- Tillv. art.nr:
- L6387ED013TR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Gate-drivarmodul | |
| Utström | 650mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 30ns | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av drivsteg | Hög sida | |
| Antal utgångar | 2 | |
| Stigtid | 50ns | |
| Minsta matningsspänning | 17V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Maximal matningsspänning | 17V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -50°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Serie | L6387ED013TR | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fästetyp | Yta | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Gate-drivarmodul | ||
Utström 650mA | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 30ns | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av drivsteg Hög sida | ||
Antal utgångar 2 | ||
Stigtid 50ns | ||
Minsta matningsspänning 17V | ||
Antal drivare 2 | ||
Maximal matningsspänning 17V | ||
Minsta arbetsstemperatur -50°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Serie L6387ED013TR | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fästetyp Yta | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics enkla och kompakta högspännings grinddrivrutiner, tillverkade med BCD ”offline”-teknik, och kan driva en halv bro av effekt-MOSFET- eller IGBT-enheter. Den höga sidan (flytande) är aktiverad för att fungera med spänningsskena upp till 600 V. Båda enhetens utgångar kan oberoende sänka och källa 650 mA respektive 400 mA och kan inte drivas högt samtidigt tack vare en integrerad låsningsfunktion.
Inre bootstrap-diod
Utgångar i fas med ingångar
Låsningsfunktion