STMicroelectronics Hög sida, Gate-drivarmodul 2, 650 mA, 8 Ben 17V, SO-8
- RS-artikelnummer:
- 152-012
- Tillv. art.nr:
- L6385ED013TR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 5 enheter)*
61,71 kr
(exkl. moms)
77,14 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 495 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 12,342 kr | 61,71 kr |
| 50 - 245 | 12,052 kr | 60,26 kr |
| 250 - 495 | 11,738 kr | 58,69 kr |
| 500 + | 10,998 kr | 54,99 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 152-012
- Tillv. art.nr:
- L6385ED013TR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | Gate-drivarmodul | |
| Utström | 650mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Falltid | 30ns | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av drivsteg | Hög sida | |
| Stigtid | 50ns | |
| Minsta matningsspänning | 17V | |
| Antal drivare | 2 | |
| Maximal matningsspänning | 17V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -50°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Serie | L6385ED013TR | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp Gate-drivarmodul | ||
Utström 650mA | ||
Antal ben 8 | ||
Falltid 30ns | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av drivsteg Hög sida | ||
Stigtid 50ns | ||
Minsta matningsspänning 17V | ||
Antal drivare 2 | ||
Maximal matningsspänning 17V | ||
Minsta arbetsstemperatur -50°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Serie L6385ED013TR | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Typ av fäste Yta | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics enkla och kompakta högspännings grinddrivrutiner, tillverkade med BCD ”offline”-teknik, och kan driva en halv bro av effekt-MOSFET- eller IGBT-enheter. Den höga sidan (flytande) sektionen kan fungera med spänningsskena upp till 600 V. Båda enhetens utgångar kan oberoende sänka och källa 650 mA respektive 400 mA och kan samtidigt drivas högt för att driva asymmetriska halvbrokonfigurationer.
Underspänningsspärr på nedre och övre drivsektionen
Inre bootstrap-diod
Utgångar i fas med ingångar
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Hög sida, Gate-drivarmodul 2, 650 mA, 8 Ben 17V, SO-8
- AEC-Q100 STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivarmodul 1, 4 A, 8 Ben 26V, SO-8
- AEC-Q100 STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivarmodul 1, 68 mA, 8 Ben 26V, SO-8W
- STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivarmodul, 5 A, 24 Ben 28 V, SO-24W
- Infineon Låg sida, Gate-drivarmodul 2, 3.3 A, 8 Ben 6V, SOIC-8
- Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul 2, 360 mA, 8 Ben 20V, SOIC-8
- STMicroelectronics Gate-drivare, Gate-drivarmodul 2, 6 A, 16 Ben 5 V, SO-16
- Infineon Hög sida, Gate-drivarmodul, 600 A, 8 Ben 20 V, SOIC