Infineon AEC-Q100, 2-tråds I2C FRAM 16 kB, 2K x 8 bit, 3000 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, DFN

Se alla FRAM-minne

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

128,24 kr

(exkl. moms)

160,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +25,648 kr128,24 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
125-4211
Tillv. art.nr:
FM24CL16B-DG
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Minnesstorlek

16kB

Produkttyp

FRAM

Gränssnittstyp

2-tråds I2C

Databussbredd

8bit

Maximal slumpmässig åtkomsttid

3000ns

Typ av fäste

Yta

Maximal klockfrekvens

1MHz

Kapseltyp

DFN

Antal ben

8

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.75mm

Längd

4.5mm

Maximal arbetstemperatur

85°C

Fordonsstandard

AEC-Q100

Minsta matningsspänning

2.7V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal matningsspänning

3.65V

Antal bitar per ord

8

Antal ord

2k

FRAM, Cypress-halvledare


Ferroelektriskt minne med slumpmässig åtkomst (F-RAM) är energieffektivt och har den högsta tillförlitligheten bland icke-flyktiga RAM-minnen för både seriella och parallella gränssnitt. Delar med suffix A är utformade för fordonstillämpningar och är AEC-Q100-kvalificerade.

Icke-flyktigt ferroelektriskt RAM-minne

Snabb skrivhastighet

Hög uthållighet

Låg strömförbrukning

FRAM (ferroelektriskt RAM)


FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) är ett icke-flyktigt minne som använder ferroelektrisk film som kondensator för lagring av data. F-RAM har egenskaper för både ROM- och RAM-enheter och har höghastighetsåtkomst, hög uthållighet i skrivläge, låg strömförbrukning, icke-flyktighet och utmärkt sabotagebeständighet. Det är därför ett perfekt minne för användning i smartkort som behöver hög säkerhet och låg strömförbrukning, samt mobiltelefoner och andra enheter.

Relaterade länkar