Infineon AEC-Q100, SPI FRAM 256 kB, 32K x 8 Bit, 16 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, DFN
- RS-artikelnummer:
- 124-2986P
- Tillv. art.nr:
- FM25V02A-DG
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal 10 enheter (levereras i ett rör)*
622,15 kr
(exkl. moms)
777,69 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 10 - 18 | 62,215 kr |
| 20 - 98 | 60,59 kr |
| 100 - 498 | 59,025 kr |
| 500 + | 57,68 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-2986P
- Tillv. art.nr:
- FM25V02A-DG
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | FRAM | |
| Minnesstorlek | 256kB | |
| Gränssnittstyp | SPI | |
| Databussbredd | 8bit | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 16ns | |
| Maximal klockfrekvens | 40MHz | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Antal ben | 8 | |
| Längd | 4.5mm | |
| Höjd | 0.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Antal bitar per ord | 8 | |
| Antal ord | 32k | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Minsta matningsspänning | 2V | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp FRAM | ||
Minnesstorlek 256kB | ||
Gränssnittstyp SPI | ||
Databussbredd 8bit | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 16ns | ||
Maximal klockfrekvens 40MHz | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kapseltyp DFN | ||
Antal ben 8 | ||
Längd 4.5mm | ||
Höjd 0.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Antal bitar per ord 8 | ||
Antal ord 32k | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Minsta matningsspänning 2V | ||
FRAM, Cypress-halvledare
Ferroelektriskt minne med slumpmässig åtkomst (F-RAM) är energieffektivt och har den högsta tillförlitligheten bland icke-flyktiga RAM-minnen för både seriella och parallella gränssnitt. Delar med suffix A är utformade för fordonstillämpningar och är AEC-Q100-kvalificerade.
Icke-flyktigt ferroelektriskt RAM-minne
Snabb skrivhastighet
Hög uthållighet
Låg strömförbrukning
FRAM (ferroelektriskt RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) är ett icke-flyktigt minne som använder ferroelektrisk film som kondensator för lagring av data. F-RAM har egenskaper för både ROM- och RAM-enheter och har höghastighetsåtkomst, hög uthållighet i skrivläge, låg strömförbrukning, icke-flyktighet och utmärkt sabotagebeständighet. Det är därför ett perfekt minne för användning i smartkort som behöver hög säkerhet och låg strömförbrukning, samt mobiltelefoner och andra enheter.