Infineon AEC-Q100, SPI FRAM 1 MB, 128K x 8 bit, 18 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 188-5424
- Tillv. art.nr:
- FM25VN10-G
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rör med 97 enheter)*
12 645,696 kr
(exkl. moms)
15 807,12 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 291 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 97 + | 130,368 kr | 12 645,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-5424
- Tillv. art.nr:
- FM25VN10-G
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Minnesstorlek | 1MB | |
| Produkttyp | FRAM | |
| Organisation | 128K x 8 bit | |
| Gränssnittstyp | SPI | |
| Databussbredd | 8bit | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 18ns | |
| Maximal klockfrekvens | 40MHz | |
| Fästetyp | Yta | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Antal ben | 8 | |
| Bredd | 3.98 mm | |
| Längd | 4.97mm | |
| Höjd | 1.47mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Minsta matningsspänning | 2V | |
| Antal ord | 128k | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Antal bitar per ord | 8 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Minnesstorlek 1MB | ||
Produkttyp FRAM | ||
Organisation 128K x 8 bit | ||
Gränssnittstyp SPI | ||
Databussbredd 8bit | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 18ns | ||
Maximal klockfrekvens 40MHz | ||
Fästetyp Yta | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Antal ben 8 | ||
Bredd 3.98 mm | ||
Längd 4.97mm | ||
Höjd 1.47mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Minsta matningsspänning 2V | ||
Antal ord 128k | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Antal bitar per ord 8 | ||
- COO (ursprungsland):
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory
Fast write speed
High endurance
Low power consumption
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.