ams OSRAM, Fototransistor, Klar epoxi-Inkapsling, 60 ° Synligt ljus, Infraröd

Se alla Fototransistorer
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer att finnas i lager igen, den har utgått från tillverkaren.
RS-artikelnummer:
262-3317
Tillv. art.nr:
SFH 3204
Tillverkare / varumärke:
ams OSRAM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ams OSRAM

Spektrum upptäckta

Synligt ljus, Infraröd

Produkttyp

Fototransistor

Typisk falltid

7μs

Typisk stigtid

7μs

Toppvåglängd

920nm

Antal kanaler

1

Förpackning

3000 stycken per PU.

Maximal ljusinducerad ström

50μA

Maximal mörkerström

50nA

Vinkel med halv känslighet

60 °

Kapseltyp

Klar epoxi

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

100°C

Standarder/godkännanden

ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 2)

Kollektorström

15mA

Kollektor-emitterspänning

15V

Emitter-kollektorspänning

7V

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The ams OSRAM micro SIDELED silicon NPN phototransistor OSRAM has a typical spectral range of sensitivity between 450 to 1120 nm. These Silicon NPN Phototransistor are suitable for electronic equipment, gesture recognition applications.

Its package is black epoxy

Large viewing angle ± 60°

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.