ams OSRAM, Fotodiod, Yta, DIP-Inkapsling, 60 °, Infraröd
- RS-artikelnummer:
- 654-7892
- Tillv. art.nr:
- BPW 34 FAS-Z
- Tillverkare / varumärke:
- ams OSRAM
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
61,71 kr
(exkl. moms)
77,14 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 21 780 enhet(er) från den 21 september 2026
- Dessutom levereras 1 225 enhet(er) från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 12,342 kr | 61,71 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 654-7892
- Tillv. art.nr:
- BPW 34 FAS-Z
- Tillverkare / varumärke:
- ams OSRAM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ams OSRAM | |
| Spektrum upptäckta | Infraröd | |
| Produkttyp | Fotodiod | |
| Våglängd för högsta känslighet | 880nm | |
| Kapseltyp | DIP | |
| Förpackning | Tejp och rulle | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal stift | 2 | |
| Minsta detekterade våglängd | 730nm | |
| Maximal detekterad våglängd | 1100nm | |
| Typisk falltid | 20ns | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Med förstärkning | Nej | |
| Maximal arbetstemperatur | 100°C | |
| Längd | 4.5mm | |
| Bredd | 4mm | |
| Höjd | 1.2mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Vinkel med halv känslighet | 60 ° | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Typisk stigtid | 20ns | |
| Öppen-kretsspänning | 330mV | |
| Genombrottsspänning | 16V | |
| Mörkerström | 2nA | |
| Kortslutningsström | 25μA | |
| Polaritet | Omvänd | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ams OSRAM | ||
Spektrum upptäckta Infraröd | ||
Produkttyp Fotodiod | ||
Våglängd för högsta känslighet 880nm | ||
Kapseltyp DIP | ||
Förpackning Tejp och rulle | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal stift 2 | ||
Minsta detekterade våglängd 730nm | ||
Maximal detekterad våglängd 1100nm | ||
Typisk falltid 20ns | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Med förstärkning Nej | ||
Maximal arbetstemperatur 100°C | ||
Längd 4.5mm | ||
Bredd 4mm | ||
Höjd 1.2mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Vinkel med halv känslighet 60 ° | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Typisk stigtid 20ns | ||
Öppen-kretsspänning 330mV | ||
Genombrottsspänning 16V | ||
Mörkerström 2nA | ||
Kortslutningsström 25μA | ||
Polaritet Omvänd | ||
PIN-fotodiod DIL-paket
Denna familj av IR-fotodioder, från OSRAM Opto Semiconductors, är från BPW 34-serien. De levereras i ytmonterade (SMD) eller genomgående DIL-plastpaket med en strålningskänslig yta på 2,65 x 2,65 mm². IR-fotodioderna BPW 34 är avsedda för applikationer med våglängdsområden upp till 1100 nm. Andra lämpliga tillämpningar är fotoavbrytare, IR-fjärrkontroller och sensorer för bilar, headsets etc.
IR-fotodioder, OSRAM Opto Semiconductors
Relaterade länkar
- ams OSRAM, Fotodiod, Yta, DIP-Inkapsling, 60 °, Infraröd
- ams OSRAM, Fotodiod, Yta, DIP-Inkapsling, 60 °, Synligt ljus, Infraröd
- ams OSRAM, Fotodiod, Genomgående hål, DIP-Inkapsling, 60 °, Infraröd, Synligt ljus
- ams OSRAM, Fotodiod, Yta, DIP-Inkapsling, ±60 °, Infraröd
- ams OSRAM, Fotodiod, Genomgående hål, TO-39-Inkapsling, 60 °, Ultraviolett, Synligt ljus, Infraröd
- ams OSRAM, Fotodiod, Yta, SMR-Inkapsling, 60 °, Infraröd
- ams OSRAM, Fotodiod, Genomgående hål, T-1-Inkapsling, 34 °, Infraröd
- ams OSRAM, Fotodiod, Yta, Chip LED-Inkapsling, 60 °, Infraröd