onsemi, Fotodiod, Yta, TSV-Inkapsling, 65 °, Infraröd

Name: onsemi, Fotodiod, Yta, TSV-Inkapsling, 65 °, Infraröd
Brand: onsemi
SKU: 185-9625
Availability: InStock

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

707,73 kr

(exkl. moms)

884,66 kr

(inkl. moms)

Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

*vägledande pris

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	onsemi
	Spektrum upptäckta	Infraröd
	Produkttyp	Fotodiod
	Våglängd för högsta känslighet	970nm
	Kapseltyp	TSV
	Förpackning	Tejp och rulle
	Typ av fäste	Yta
	Antal stift	4
	Minsta detekterade våglängd	200nm
	Maximal detekterad våglängd	900nm
	Typisk falltid	0.6ns
	Med förstärkning	Nej
	Minsta arbetsstemperatur	-25°C
	Maximal arbetstemperatur	85°C
	Bredd	4mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Längd	4mm
	Höjd	460μm
	Vinkel med halv känslighet	65 °
	Typisk stigtid	0.6ns
	Polaritet	Framåt
	Genombrottsspänning	24.7V
	Serie	J
	Fordonsstandard	Nej
	Mörkerström	1nA

	Välj alla
	Varumärke onsemi
	Spektrum upptäckta Infraröd
	Produkttyp Fotodiod
	Våglängd för högsta känslighet 970nm
	Kapseltyp TSV
	Förpackning Tejp och rulle
	Typ av fäste Yta
	Antal stift 4
	Minsta detekterade våglängd 200nm
	Maximal detekterad våglängd 900nm
	Typisk falltid 0.6ns
	Med förstärkning Nej
	Minsta arbetsstemperatur -25°C
	Maximal arbetstemperatur 85°C
	Bredd 4mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Längd 4mm
	Höjd 460μm
	Vinkel med halv känslighet 65 °
	Typisk stigtid 0.6ns
	Polaritet Framåt
	Genombrottsspänning 24.7V
	Serie J
	Fordonsstandard Nej
	Mörkerström 1nA

Mikroceller med hög densitet

J-seriens sensorer har ON Semiconductors unika ”snabba utgångsterminal”

Temperaturstabilitet på 21,5 mV/°C

Exceptionell genombrottsspänningsjämnhet på ±250 mV

Finns i en omsmältningslödningskompatibel TSV-chipskalpaket

Ultralåg mörkerräknarhastighet på normalt 50 kHz/mm2

Optimerad för högpresterande timingtillämpningar, t.ex. ToF-PET

3 mm, 4 mm och 6 mm sensorstorlekar

Resultat i en 50 % fotondetekteringseffektivitet (PDE) vid 420 nm

Förbättrad signaluppstigningstid och mikrocellåterhämtningstid

Förnekar behovet av aktiv spänningsreglering

Branschledande enhetlighet

TSV-paketet ger nästan noll dödutrymme, vilket möjliggör skapande av matriser med hög fyllnadsfaktor och är utan järnmetall

Användningsområden

Medicinsk bildbehandling

Fara och hot

3D-avstånd och avkänning

Biophotonik och vetenskaper

Högenergifysik

Relaterade länkar