OSI Optoelectronics, Fotodiod, Genomgående hål, TO-8-Inkapsling, 65 °, Synligt ljus

Dessa höghastighetsdetektorer med stort aktivt område kan helt degraderas för att uppnå lägst möjliga kopplingskapacitans för snabba svarstider. De kan drivas vid en högre omvänd spänning, upp till det maximala tillåtna värdet, för att uppnå ännu snabbare svarstider på nanosekunder. Den höga omvända biasen vid denna punkt ökar det effektiva elektriska fältet över kopplingen, vilket ökar laddningsinsamlingstiden i den utarmade regionen. Observera att detta uppnås utan att kompromissa med den höga responsen och det aktiva området. Dessa strålningsdetektorer med stort aktivt område kan också vara helt deponerade för tillämpningar som mäter högenergiska röntgenstrålar, röntgenstrålar samt högenergiska partiklar som elektroner, alfastrålar och tunga joner.

Produkttillämpningar