Hamamatsu Photonics, Fotodiod, Ytmontering, Glasepoxi-Inkapsling, 270 till 900 nm
- RS-artikelnummer:
- 893-867
- Tillv. art.nr:
- S14160-3050HS
- Tillverkare / varumärke:
- Hamamatsu Photonics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
790,32 kr
(exkl. moms)
987,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 790,32 kr |
| 5 + | 766,61 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 893-867
- Tillv. art.nr:
- S14160-3050HS
- Tillverkare / varumärke:
- Hamamatsu Photonics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Hamamatsu Photonics | |
| Produkttyp | Fotodiod | |
| Spektrum upptäckta | 270 till 900 nm | |
| Våglängd för högsta känslighet | 450nm | |
| Kapseltyp | Glasepoxi | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal stift | 2 | |
| Minsta detekterade våglängd | 270nm | |
| Maximal detekterad våglängd | 900nm | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.4mm | |
| Bredd | 3.4mm | |
| Mörkerström | 600nA | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Serie | S14160 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Hamamatsu Photonics | ||
Produkttyp Fotodiod | ||
Spektrum upptäckta 270 till 900 nm | ||
Våglängd för högsta känslighet 450nm | ||
Kapseltyp Glasepoxi | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal stift 2 | ||
Minsta detekterade våglängd 270nm | ||
Maximal detekterad våglängd 900nm | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.4mm | ||
Bredd 3.4mm | ||
Mörkerström 600nA | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Serie S14160 | ||
- COO (ursprungsland):
- JP
Hamamatsu Photonics högpresterande flerpixel-fotonräknare är utformad för tillämpningar för scintillationsdetektering, med en låg utbrytningsspänning för ökad effektivitet och driftsäkerhet.
Uppnår högre fotondetekteringseffektivitet på 50 %
Fungerar vid en typisk genombrottsspänning på 38 V
Demonstrerar minimalt dödutrymme i det fotosensibla området
Ger utmärkt tidsupplösning tillsammans med hög förstärkning
Säkerställer immunitet mot magnetfältsstörningar
Relaterade länkar
- Hamamatsu Photonics, Fotodiod, Ytmontering, Glasepoxi-Inkapsling, 320 till 900 nm
- Hamamatsu Photonics, Fotodiod, Genomgående hål, TO-18-Inkapsling, 900 till 2600 nm
- Hamamatsu Photonics, Fotodiod, Ytmontering, Fack-Inkapsling, 320 till 1100 nm
- Hamamatsu Photonics, Fotodiod, Ytmontering, LCP-Inkapsling, 400 till 1000 nm
- Hamamatsu Photonics, Fotodiod, Ytmontering, Plast-Inkapsling, 590 till 720 nm
- Hamamatsu Photonics, Fotodiod, Ytmontering, LCP-Inkapsling, 200 till 1000 nm
- Hamamatsu Photonics, Fotodiod, Genomgående hål, Ultraviolett, Infraröd
- Hamamatsu Photonics, Fotodiod, Yta, Ytmontering-Inkapsling, Infraröd
