Microchip, SPI Delad grind 8 MB Flash-minne, 3 ns, 8 Ben, SOIC

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

118,50 kr

(exkl. moms)

148,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 2011,85 kr118,50 kr
30 +11,603 kr116,03 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
869-6195
Tillv. art.nr:
SST26WF080B-104I/SN
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Produkttyp

Flash-minne

Minnesstorlek

8MB

Gränssnittstyp

SPI

Kapseltyp

SOIC

Antal ben

8

Typ av fäste

Yta

Maximal klockfrekvens

104MHz

Celltyp

Delad grind

Minsta matningsspänning

1.65V

Maximal matningsspänning

1.95V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

85°C

Höjd

1.25mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

4.9mm

Antal ord

1M

Fordonsstandard

Nej

Maximal slumpmässig åtkomsttid

3ns

Serie

SST26WF080B

Antal bitar per ord

8

SST26WF040B/080B/016B Serial Quad I/O (SQI) SuperFlash® Flash Memory


From Microchip the SST26WFxxxB family of products are Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory devices available in 4-, 8- and 16-bit variants. These devices support full command-set compatibility with Serial Peripheral Interface (SPI) protocol and enable minimum latency Execute-in-Place (XIP) capability without the need for code shadowing on an SRAM. The SST26WFxxxB devices exhibit low power consumption, making them suitable for portable battery powered applications.

Features


Operating Voltage Range 1.6 to 1.95 V

Clock Frequency 104 MHz max

Serial Interface Architecture

Low Power Consumption: Active Read Current: 15 mA (typical at 104 MHz), Standby Current: 10 μA (typical)

Burst Modes: Continuous Linear Burst, 8/16/32/64 Byte Linear Burst with Wrap-Around

Page-Program: 256 Bytes per page in x1 or x4 mode

Fast Erase Time: Sector/Block Erase 18 ms (typ), 25 ms (max); Chip Erase 35 ms (typ), 50 ms (max)

Flexible Erase Capability

End-of-Write Detection

Write-Suspend

Software Protection

Software Reset (RST) Mode

SFDP (Serial Flash Discoverable Parameters)

Flashminne, Microchip


Relaterade länkar