Infineon, Parallell NOR 1 GB GL-T MIRRORBITTM Flash Parallell, 130 ns, 48 Ben, TSOP-56
- RS-artikelnummer:
- 273-5429
- Tillv. art.nr:
- S29GL01GT10FHI010
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
139,10 kr
(exkl. moms)
173,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 32 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 139,10 kr |
| 10 - 24 | 131,26 kr |
| 25 - 49 | 127,90 kr |
| 50 - 74 | 125,44 kr |
| 75 + | 122,98 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5429
- Tillv. art.nr:
- S29GL01GT10FHI010
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Minnesstorlek | 1GB | |
| Produkttyp | GL-T MIRRORBITTM Flash Parallell | |
| Gränssnittstyp | Parallell | |
| Kapseltyp | TSOP-56 | |
| Antal ben | 48 | |
| Maximal klockfrekvens | 5MHz | |
| Celltyp | NOR | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Minsta matningsspänning | 2.7V | |
| Tidsinställningstyp | Asynkron | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal bitar per ord | 16 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 klass 2 och 3 | |
| Serie | S29GL | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 130ns | |
| Matningsström | 100mA | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Minnesstorlek 1GB | ||
Produkttyp GL-T MIRRORBITTM Flash Parallell | ||
Gränssnittstyp Parallell | ||
Kapseltyp TSOP-56 | ||
Antal ben 48 | ||
Maximal klockfrekvens 5MHz | ||
Celltyp NOR | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Minsta matningsspänning 2.7V | ||
Tidsinställningstyp Asynkron | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal bitar per ord 16 | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 klass 2 och 3 | ||
Serie S29GL | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 130ns | ||
Matningsström 100mA | ||
The Infineon Flash Memory is fabricated on 45 nm process technology. These devices offer a fast page access time as fast as 15 ns, with a corresponding random access time as fast as 100 ns. They feature a write buffer that allows a maximum of 256 words or 512 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms.
20 year data retention
Advanced sector protection
512 byte programming buffer
100000 program and erase cycles
Asynchronous 32 byte page read
Common flash interface parameter table
Relaterade länkar
- Infineon, Parallell NOR 1 GB GL-T MIRRORBITTM Flash Parallell, 130 ns, 48 Ben, TSOP-56
- Infineon, Parallell, CFI, NOR 128 MB Flash-minne, 90 ns, 56 Ben, TSOP
- Infineon, CFI, Parallell NOR 128 MB Flash-minne, 90 ns, 56 Ben, TSOP
- Infineon, CFI, Parallell NOR 512 MB Flash-minne, 110 ns, 56 Ben, TSOP
- Infineon, Parallell NOR 8 MB Flash-minne, 72 ns, 48 Ben, TSOP
- Micron NOR 512Mbit Parallel Flash Memory 56-Pin TSOP, JS28F512M29EWLA
- Macronix, Parallell NOR 4 MB Flash-minne, 70 ns, 32 Ben, TSOP
- Macronix, Parallell NOR 4 MB Flash-minne, 70 ns, 48 Ben, TSOP