Infineon, Quad-SPI NOR 128 MB Flash-minne, 8 ns, 8 Ben, WSON
- RS-artikelnummer:
- 181-1563
- Tillv. art.nr:
- S25FL128LAGNFI010
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 fack med 490 enheter)*
8 297,66 kr
(exkl. moms)
10 372,32 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 490 + | 16,934 kr | 8 297,66 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 181-1563
- Tillv. art.nr:
- S25FL128LAGNFI010
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Flash-minne | |
| Minnesstorlek | 128MB | |
| Gränssnittstyp | Quad-SPI | |
| Kapseltyp | WSON | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal klockfrekvens | 133MHz | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Celltyp | NOR | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Minsta matningsspänning | 2.7V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5.28mm | |
| Höjd | 1.9mm | |
| Serie | S25FL128L | |
| Antal bitar per ord | 8 | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 8ns | |
| Antal ord | 16M | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Flash-minne | ||
Minnesstorlek 128MB | ||
Gränssnittstyp Quad-SPI | ||
Kapseltyp WSON | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal klockfrekvens 133MHz | ||
Typ av fäste Yta | ||
Celltyp NOR | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Minsta matningsspänning 2.7V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5.28mm | ||
Höjd 1.9mm | ||
Serie S25FL128L | ||
Antal bitar per ord 8 | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 8ns | ||
Antal ord 16M | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
2-Mbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically
organized as 256 K x 8
High-endurance 10 trillion (1014) read/writes
121-year data retention
NoDelay™ writes
Advanced high-reliability ferroelectric process
Very fast serial peripheral interface (SPI)
Up to 33 MHz frequency
Direct hardware replacement for serial flash and EEPROM
Supports SPI mode 0 (0, 0) and mode 3 (1, 1)
Sophisticated write protection scheme
Hardware protection using the Write Protect (WP) pin
Software protection using Write Disable instruction
Software block protection for 1/4, 1/2, or entire array
Device ID
Manufacturer ID and Product ID
Low power consumption
3 mA active current at 33 MHz
400 A standby current
12 A sleep mode current
Low-voltage operation: VDD = 2.0 V to 3.6 V
Extended temperature: –40 °C to +105 °C
8-pin thin dual flat no leads (DFN) package