Infineon, SPI NOR 512 MB Flash-minne, 8 Ben, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 273-5425
- Tillv. art.nr:
- S25HL512TFAMHI010
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 fack med 240 enheter)*
13 579,68 kr
(exkl. moms)
16 974,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 02 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 240 + | 56,582 kr | 13 579,68 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5425
- Tillv. art.nr:
- S25HL512TFAMHI010
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Flash-minne | |
| Minnesstorlek | 512MB | |
| Gränssnittstyp | SPI | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal klockfrekvens | 166MHz | |
| Celltyp | NOR | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Minsta matningsspänning | 1.7V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Standarder/godkännanden | ISO26262 ASIL B and ASIL D ready | |
| Fordonsstandard | AEC-Q1 Grad 1 | |
| Serie | SEMPER Flash | |
| Matningsström | 53mA | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Flash-minne | ||
Minnesstorlek 512MB | ||
Gränssnittstyp SPI | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal klockfrekvens 166MHz | ||
Celltyp NOR | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Minsta matningsspänning 1.7V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Standarder/godkännanden ISO26262 ASIL B and ASIL D ready | ||
Fordonsstandard AEC-Q1 Grad 1 | ||
Serie SEMPER Flash | ||
Matningsström 53mA | ||
Infineon Flash-minne är en produktfamilj med fyra SPI-enheter som har höghastighets CMOS, MIRRORBITTM NOR Flash-enheter. Detta flashminne är utformat för funktionell säkerhet med utveckling enligt ISO 26262-standarden för att uppnå ASIL B-kompatibilitet och ASIL D-beredskap. Läsoperationer från enheten är sprängorienterade. Läsningstransaktioner kan konfigureras för att använda antingen en insvept eller linjär utbrott. Wrapped bursts läser från en enda sida, medan linjära bursts kan läsa hela minnesarray.
Legacy Block-skydd
SSDR-alternativet körs upp till 21 MB/s
OTP-säker silikonmatris på 1024 byte
Detekterbara parametrar för seriella blixtnedslag
Minst 100 000 program- och raderingscykler
