Winbond, Parallell SLC NAND 1 GB Flash-minne, 25 μs, 63 Ben, VFBGA

Se alla Flash-minne
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-2772
Tillv. art.nr:
W29N01HVBINA
Tillverkare / varumärke:
Winbond
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Winbond

Produkttyp

Flash-minne

Minnesstorlek

1GB

Gränssnittstyp

Parallell

Kapseltyp

VFBGA

Antal ben

63

Typ av fäste

Yta

Celltyp

SLC NAND

Minsta matningsspänning

2.7V

Maximal matningsspänning

3.6V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

85°C

Längd

11.1mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.6mm

Matningsström

35mA

Antal bitar per ord

8

Antal ord

128M

Fordonsstandard

Nej

Serie

W29N01HVBINA

Maximal slumpmässig åtkomsttid

25μs

Density : 1Gbit (Single chip solution)

Vcc : 2.7V to 3.6V

Bus width : x8

Operating temperature

Industrial: -40°C to 85°C

Single-Level Cell (SLC) technology.

Organization

Density: 1G-bit/128M-byte

Page size

2,112 bytes (2048 + 64 bytes)

Block size

64 pages (128K + 4K bytes)

Highest Performance

Read performance (Max.)

Random read: 25us

Sequential read cycle: 25ns

Write Erase performance

Page program time: 250us(typ.)

Block erase time: 2ms(typ.)

Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(1)

10-years data retention

Command set

Standard NAND command set

Additional command support

Copy Back

Lowest power consumption

Read: 25mA(typ.3V),

Program/Erase: 25mA(typ.3V),

CMOS standby: 10uA(typ.)

Space Efficient Packaging

48-pin standard TSOP1

48-ball VFBGA

63-ball VFBGA

1Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.

Bus Width: x8

Random Read: 25us

Page Program Time: 250us(typ.)

Block Erase Time: 2ms(typ.)