AEC-Q Infineon Effektstyrningsswitch, 3 Ben Låg sida Låg sida BTS3104SDR TO-252

Se alla Effektswitchkretsar
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

33,04 kr

(exkl. moms)

41,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 246 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Förpackning(ar)
Per förpackning
Per enhet*
1 - 433,04 kr16,52 kr
5 - 4929,68 kr14,84 kr
50 - 12428,11 kr14,055 kr
125 - 24923,97 kr11,985 kr
250 +22,62 kr11,31 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-0734
Tillv. art.nr:
BTS3104SDRATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Strömbrytartyp

Låg sida

Strömbrytartopologi

Låg sida

Produkttyp

Effektstyrningsswitch

Motstånd vid påslagning RdsOn

0.323Ω

Kapseltyp

TO-252

Antal ben

3

Maximal matningsspänning

10V

Driftström

2A

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

BTS3104SDR

Fordonsstandard

AEC-Q

Infineons HITFET smarta lågsidiga strömbrytare är en enkanalig lågsidig MOSFET-strömbrytare i PG-TO252-3-11-paket som ger inbyggda skyddsfunktioner. Enheten är monolitiskt integrerad med en vertikal N-kanal Power FET och inbyggda skyddsfunktioner. HITFET smart lågsidig strömbrytare är fordonskvalificerad och kan användas i 12 V och 24 V fordons- och industriella tillämpningar.

Kortslutnings- och överbelastningsskydd

Termisk avstängning med omstartsbeteende

ESD-skydd

Överspänningsskydd

Logisk nivåingång lämplig för 5 V och 3,3 V

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.