AEC-Q Infineon Effektstyrningsswitch, 3 Ben Låg sida Låg sida BTS3104SDR TO-252

Se alla Effektswitchkretsar
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

33,04 kr

(exkl. moms)

41,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 246 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Förpackning(ar)
Per förpackning
Per enhet*
1 - 433,04 kr16,52 kr
5 - 4929,68 kr14,84 kr
50 - 12428,11 kr14,055 kr
125 - 24923,97 kr11,985 kr
250 +22,62 kr11,31 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-0734
Tillv. art.nr:
BTS3104SDRATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Effektstyrningsswitch

Strömbrytartopologi

Låg sida

Strömbrytartyp

Låg sida

Motstånd vid påslagning RdsOn

0.323Ω

Kapseltyp

TO-252

Antal ben

3

Maximal matningsspänning

10V

Driftström

2A

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

BTS3104SDR

Fordonsstandard

AEC-Q

The Infineon HITFET smart low side power switch is a single channel low-side MOSFET power switch in PG-TO252-3-11 package providing embedded protective functions. The device is monolithically integrated with a N channel vertical power FET and embedded protection functions. The HITFET smart low side power switch is automotive qualified and can be used in 12V and 24V automotive and industrial applications.

Short circuit and over load protection

Thermal shutdown with restart behaviour

ESD protection

Over voltage protection

Logic level input suitable for 5V and 3.3V

Relaterade länkar