AEC-Q Infineon Effektstyrningsswitch, 3 Ben Låg sida Låg sida BTS3104SDR TO-252

Se alla Effektswitchkretsar
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

33,04 kr

(exkl. moms)

41,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Förpackning(ar)
Per förpackning
Per enhet*
1 - 433,04 kr16,52 kr
5 - 4929,68 kr14,84 kr
50 - 12428,11 kr14,055 kr
125 - 24923,97 kr11,985 kr
250 +22,62 kr11,31 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-0734
Tillv. art.nr:
BTS3104SDRATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Strömbrytartopologi

Låg sida

Strömbrytartyp

Låg sida

Produkttyp

Effektstyrningsswitch

Motstånd vid påslagning RdsOn

0.323Ω

Kapseltyp

TO-252

Maximal matningsspänning

10V

Antal ben

3

Driftström

2A

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

BTS3104SDR

Fordonsstandard

AEC-Q

The Infineon HITFET smart low side power switch is a single channel low-side MOSFET power switch in PG-TO252-3-11 package providing embedded protective functions. The device is monolithically integrated with a N channel vertical power FET and embedded protection functions. The HITFET smart low side power switch is automotive qualified and can be used in 12V and 24V automotive and industrial applications.

Short circuit and over load protection

Thermal shutdown with restart behaviour

ESD protection

Over voltage protection

Logic level input suitable for 5V and 3.3V

Relaterade länkar