AEC-Q Infineon Effektstyrningsswitch, 8 Ben Låg sida Låg sida BTF3125EJ TDSO
- RS-artikelnummer:
- 258-0723
- Tillv. art.nr:
- BTF3125EJXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
17 337,60 kr
(exkl. moms)
21 672,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 14 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Rulle(ar) | Per rulle | Per enhet* |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 17 337,60 kr | 5,779 kr |
| 2 - 2 | 15 603,84 kr | 5,201 kr |
| 3 + | 15 025,81 kr | 5,009 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0723
- Tillv. art.nr:
- BTF3125EJXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Strömbrytartopologi | Låg sida | |
| Produkttyp | Effektstyrningsswitch | |
| Strömbrytartyp | Låg sida | |
| Motstånd vid påslagning RdsOn | 2.5Ω | |
| Kapseltyp | TDSO | |
| Minsta matningsspänning | 3V | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal matningsspänning | 5.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q | |
| Serie | BTF3125EJ | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Strömbrytartopologi Låg sida | ||
Produkttyp Effektstyrningsswitch | ||
Strömbrytartyp Låg sida | ||
Motstånd vid påslagning RdsOn 2.5Ω | ||
Kapseltyp TDSO | ||
Minsta matningsspänning 3V | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal matningsspänning 5.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q | ||
Serie BTF3125EJ | ||
The Infineon smart low-side power switch is a 2.5 Ω single channel Smart Low-Side Power Switch with in a PG-TDSO-8-31 package providing embedded protective functions. The power transistor is built by an N-channel vertical power MOSFET. The device is monolithically integrated. The smart low-side power is automotive qualified and is optimized for 12V automotive and industrial applications.
Electrostatic discharge protection
Adjustable switching speed
Digital latch feedback signal
Very low power DMOS leakage current in OFF state
Relaterade länkar
- AEC-Q Infineon Effektstyrningsswitch, 8 Ben Låg sida Låg sida BTF3125EJ TDSO
- AEC-Q Infineon Effektstyrningsswitch Låg sida Låg sida BTS3080EJ
- AEC-Q Infineon Effektstyrningsswitch Låg sida Låg sida BTS3011TE
- AEC-Q Infineon Effektstyrningsswitch, 8 Ben Hög sida Hög sida BTT6200-1ENA TDSO
- AEC-Q Infineon Effektstyrningsswitch Låg sida Låg sida TLE 8718 SA
- AEC-Q Infineon Effektstyrningsswitch, 3 Ben Låg sida Låg sida BTS3104SDR TO-252
- AEC-Q Infineon Effektstyrningsswitch, 3 Ben Låg sida Låg sida BTS3125TF TO-252
- AEC-Q Infineon Effektstyrningsswitch, 3 Ben Låg sida Låg sida BTS3050TF TO-252