Infineon Effektstyrningsswitch Hög sida Hög sida BGS12PN10

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

29,68 kr

(exkl. moms)

37,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 7 500 enhet(er) levereras från den 28 maj 2026
  • Dessutom levereras 7 500 enhet(er) från den 02 juli 2026
  • Dessutom levereras 7 500 enhet(er) från den 27 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 455,936 kr29,68 kr
50 - 1205,018 kr25,09 kr
125 - 2454,704 kr23,52 kr
250 - 4954,39 kr21,95 kr
500 +4,054 kr20,27 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-0673
Tillv. art.nr:
BGS12PN10E6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Strömbrytartyp

Hög sida

Strömbrytartopologi

Hög sida

Produkttyp

Effektstyrningsswitch

Minsta matningsspänning

1.8V

Maximal matningsspänning

3.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Driftström

120μA

Standarder/godkännanden

RoHS/WEEE

Fordonsstandard

Nej

Serie

BGS12PN10

The Infineon SPDT high linearity, high power RF switch is a single pole dual throw high power RF switch optimized for mobile phone applications up to 6.0 GHz. This single supply chip integrates on-chip CMOS logic driven by a simple, CMOS or TTL compatible control input signal. Unlike GaAs technology, the 0.1 dB compression point exceeds the switch maximum input power level, resulting in linear performance at all signal levels and external DC blocking capacitors at the RF ports are only required if DC voltage is applied externally.

No power supply blocking required

No insertion loss change within supply voltage range

No linearity change within supply voltage range

Suitable for EDGE / C2K / LTE / WCDMA / SV-LTE Applications

Mobile cellular Rx/Tx applications, suitable for LTE/3G

Relaterade länkar