Infineon Effektstyrningsswitch Hög sida Hög sida BGS12PN10
- RS-artikelnummer:
- 258-0673
- Tillv. art.nr:
- BGS12PN10E6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
29,68 kr
(exkl. moms)
37,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 7 500 enhet(er) levereras från den 28 maj 2026
- Dessutom levereras 7 500 enhet(er) från den 02 juli 2026
- Dessutom levereras 7 500 enhet(er) från den 27 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 5,936 kr | 29,68 kr |
| 50 - 120 | 5,018 kr | 25,09 kr |
| 125 - 245 | 4,704 kr | 23,52 kr |
| 250 - 495 | 4,39 kr | 21,95 kr |
| 500 + | 4,054 kr | 20,27 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0673
- Tillv. art.nr:
- BGS12PN10E6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Strömbrytartyp | Hög sida | |
| Strömbrytartopologi | Hög sida | |
| Produkttyp | Effektstyrningsswitch | |
| Minsta matningsspänning | 1.8V | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Driftström | 120μA | |
| Standarder/godkännanden | RoHS/WEEE | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Serie | BGS12PN10 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Strömbrytartyp Hög sida | ||
Strömbrytartopologi Hög sida | ||
Produkttyp Effektstyrningsswitch | ||
Minsta matningsspänning 1.8V | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Driftström 120μA | ||
Standarder/godkännanden RoHS/WEEE | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Serie BGS12PN10 | ||
The Infineon SPDT high linearity, high power RF switch is a single pole dual throw high power RF switch optimized for mobile phone applications up to 6.0 GHz. This single supply chip integrates on-chip CMOS logic driven by a simple, CMOS or TTL compatible control input signal. Unlike GaAs technology, the 0.1 dB compression point exceeds the switch maximum input power level, resulting in linear performance at all signal levels and external DC blocking capacitors at the RF ports are only required if DC voltage is applied externally.
No power supply blocking required
No insertion loss change within supply voltage range
No linearity change within supply voltage range
Suitable for EDGE / C2K / LTE / WCDMA / SV-LTE Applications
Mobile cellular Rx/Tx applications, suitable for LTE/3G
Relaterade länkar
- Infineon Effektstyrningsswitch Hög sida Hög sida BGS12PN10
- AEC-Q100 Infineon Effektstyrningsswitch Hög sida Hög sida
- Infineon Effektstyrningsswitch, 24 Ben Hög sida Hög sida TSDSO
- AEC-Q Infineon Effektstyrningsswitch Hög sida Hög sida BTT6010-1ERA
- AEC-Q Infineon Effektstyrningsswitch Hög sida Hög sida BTT6020-1ERA
- AEC-Q Infineon Effektstyrningsswitch Hög sida Hög sida BTT6010-1ERB
- AEC-Q Infineon Effektstyrningsswitch Hög sida Hög sida BTT6030-1ERA
- AEC-Q Infineon Effektstyrningsswitch Hög sida Hög sida BTT6030-2ERB
