AEC Infineon High side-effektswitch, 4 Ben Låg sida HITFET BTS 3207N PG-SOT223-4

Se alla Effektswitchkretsar
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

59,36 kr

(exkl. moms)

74,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 480 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4511,872 kr59,36 kr
50 - 12010,46 kr52,30 kr
125 - 2459,722 kr48,61 kr
250 - 4959,004 kr45,02 kr
500 +8,444 kr42,22 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
250-0578
Tillv. art.nr:
BTS3207NHUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Strömbrytartopologi

Låg sida

Produkttyp

High side-effektswitch

Motstånd vid påslagning RdsOn

500mΩ

Antal utgångar

5

Effektklassning

3.8W

Fästetyp

Yta

Kapseltyp

PG-SOT223-4

Antal ben

4

Maximal matningsspänning

42V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Driftström

0.64A

Längd

6.5mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

3.5 mm

Höjd

1.6mm

Serie

HITFET BTS 3207N

Fordonsstandard

AEC

The Infineon N channel vertical power FET in smart SIPMOS technology. It is fully protected by embedded protection functions. It is used in variety of applications like all kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching or linear applications, the μC compatible power switch for 12 V DC applications, it also replaces electromechanical relays and discrete circuits.

Fast demagnetization of inductive loads

Optimized Electromagnetic Compatibility (EMC)

Overload protection, current limitation, short circuit protection and thermal shutdown with restart

Electrostatic Discharge Protection (ESD) and Analog driving possible

Relaterade länkar