AEC-Q100 STMicroelectronics Kraftströmställare, 32 Ben MOSFET Hög sida VNF1248F QFN-32L

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

48,83 kr

(exkl. moms)

61,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 300 enhet(er) levereras från den 14 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 948,83 kr
10 - 4943,79 kr
50 - 9942,56 kr
100 +41,66 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
719-448
Tillv. art.nr:
VNF1248FTR
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Strömbrytartyp

MOSFET

Strömbrytartopologi

Hög sida

Produkttyp

Kraftströmställare

Motstånd vid påslagning RdsOn

4.5Ω

Antal utgångar

1

Gränssnittstyp

SPI

Typ av fäste

Yta

Minsta matningsspänning

6V

Kapseltyp

QFN-32L

Antal ben

32

Maximal matningsspänning

70V

Driftström

75μA

Maximal arbetstemperatur

150°C

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Höjd

1mm

Längd

5mm

Bredd

5mm

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Fordonsstandard

AEC-Q100

Serie

VNF1248F

STMicroelectronics högsidig omkopplare med STi2Fuse-skydd är en avancerad enhet som är utformad för att driva en Power MOSFET i en högsidig konfiguration, vilket möjliggör implementering av intelligenta högsidiga omkopplare för 12 V, 24 V och 48 V fordonstillämpningar. Den har ett CMOS-kompatibelt SPI-gränssnitt som stöder både 3,3 V- och 5 V-nivåer, vilket möjliggör sömlös kommunikation med en värdmikrokontroller. Förutom styrfunktionalitet ger IC-enheten integrerat skydd och diagnosfunktioner, vilket säkerställer systemens tillförlitlighet och säkerhet i ett brett utbud av fordonsmiljöer.

Batteribesparing vid underspänning

Extern MOSFET-avmattningsavstängning kan konfigureras via SPI

Hård kortslutningsavstängning kan konfigureras via SPI

Konfigurerbar avstängning av ström/tid via SPI (säkerhetsemulering)

Enhet för temperaturnedstängning

Extern MOSFET över temperaturavstängning

Omvänt batteri

Förlust av GND

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.