ROHM Effektswitch IC, 46 Ben Hög sida Hög sida BM3G005MUV-LB VQFN046V8080
- RS-artikelnummer:
- 646-596P
- Tillv. art.nr:
- BM3G005MUV-LBE2
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Få en mängdrabatt
Visa alternativ för volympriserAntal 10 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
1 398,30 kr
(exkl. moms)
1 747,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 10 + | 139,83 kr | - |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 646-596P
- Tillv. art.nr:
- BM3G005MUV-LBE2
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | Effektswitch IC | |
| Strömbrytartopologi | Hög sida | |
| Strömbrytartyp | Hög sida | |
| Motstånd vid påslagning RdsOn | 50mΩ | |
| Kapseltyp | VQFN046V8080 | |
| Minsta matningsspänning | 6.83V | |
| Antal ben | 46 | |
| Maximal matningsspänning | 650V | |
| Driftström | 2.2mA | |
| Maximal arbetstemperatur | 105°C | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 8mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Bredd | 8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Serie | BM3G005MUV-LB | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp Effektswitch IC | ||
Strömbrytartopologi Hög sida | ||
Strömbrytartyp Hög sida | ||
Motstånd vid påslagning RdsOn 50mΩ | ||
Kapseltyp VQFN046V8080 | ||
Minsta matningsspänning 6.83V | ||
Antal ben 46 | ||
Maximal matningsspänning 650V | ||
Driftström 2.2mA | ||
Maximal arbetstemperatur 105°C | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 8mm | ||
Höjd 1mm | ||
Bredd 8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Serie BM3G005MUV-LB | ||
ROHM GaN HEMT Power Stage är en högpresterande produkt som är utformad för marknaden för industriell utrustning, vilket ger en optimal lösning för elektroniksystem som kräver hög effekttäthet och effektivitet. Genom att integrera 650 V förstärkning GaN HEMT och silikondrivare i ROHM: s originalförpackning minskar produkten avsevärt parasitisk induktans orsakad av kretskort och ledningsbindning, jämfört med traditionella diskreta lösningar. Denna innovation möjliggör en hög omkopplingshastighet på upp till 150 V/ns, vilket gör den till det idealiska valet för tillämpningar som kräver snabb omkoppling och överlägsen effektivitet.
Låg VDD viloläge och driftström
Låg propagationsfördröjning
Hög dv/dt-immunitet
Justerbar grindstyrning
Power Good-signalutgång
UVLO-skydd
Skydd mot termisk avstängning