STMicroelectronics Effektswitch IC 3, 16 Ben Låg sida Låg sida STGAP3S SO-16W

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

47,49 kr

(exkl. moms)

59,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 947,49 kr
10 - 9946,26 kr
100 - 49945,14 kr
500 - 99943,90 kr
1000 +42,78 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
330-341
Tillv. art.nr:
STGAP3S6STR
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Strömbrytartyp

Låg sida

Strömbrytartopologi

Låg sida

Produkttyp

Effektswitch IC

Motstånd vid påslagning RdsOn

1.1Ω

Antal utgångar

3

Effektklassning

16W

Antal ingångar

3

Kapseltyp

SO-16W

Minsta matningsspänning

3.1V

Antal ben

16

Maximal matningsspänning

32V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Driftström

6A

Bredd

7.6 mm

Höjd

2.65mm

Standarder/godkännanden

UL 1577, IEC 60747-17, RoHS

Längd

10.5mm

Fordonsstandard

Nej

Serie

STGAP3S

COO (ursprungsland):
TW
The STMicroelectronics galvanic ally isolated gate driver for IGBTs with 6 A source/sink current, desaturation protection, and adjustable SOFTOFF is a family of protected single gate drivers designed to provide galvanic isolation between the gate driving channel and low voltage control and interface circuitry. The platform offers different options with 10 A and 6 A current capabilities, with dedicated UVLO variants available for both SiC MOSFETs and IGBTs. Additionally, the driver features ultrafast desaturation protection with differentiated intervention thresholds and an adjustable soft turn-off function.

High voltage rail up to 1200 V

75 ns input-output propagation delay

Miller CLAMP driver for external N-channel MOSFET 0.3 A source or 0.5 A sink

Adjustable soft turn-off function

VDD UVLO

VH UVLO IGBT and SiC variants

Desaturation protection IGBT and SiC variants