STMicroelectronics Effektswitch IC 4, 18 Ben Hög sida Hög sida STDRIVEG611 QFN
- RS-artikelnummer:
- 330-242
- Tillv. art.nr:
- STDRIVEG611QTR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
22,96 kr
(exkl. moms)
28,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 2 995 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 22,96 kr |
| 10 - 99 | 22,29 kr |
| 100 - 499 | 21,73 kr |
| 500 - 999 | 21,28 kr |
| 1000 + | 20,72 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 330-242
- Tillv. art.nr:
- STDRIVEG611QTR
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Strömbrytartopologi | Hög sida | |
| Produkttyp | Effektswitch IC | |
| Strömbrytartyp | Hög sida | |
| Motstånd vid påslagning RdsOn | 3.7Ω | |
| Antal utgångar | 3 | |
| Antal ingångar | 4 | |
| Kapseltyp | QFN | |
| Minsta matningsspänning | 0.3V | |
| Antal ben | 18 | |
| Maximal matningsspänning | 21V | |
| Driftström | 3.5mA | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 4 mm | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Serie | STDRIVEG611 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Strömbrytartopologi Hög sida | ||
Produkttyp Effektswitch IC | ||
Strömbrytartyp Hög sida | ||
Motstånd vid påslagning RdsOn 3.7Ω | ||
Antal utgångar 3 | ||
Antal ingångar 4 | ||
Kapseltyp QFN | ||
Minsta matningsspänning 0.3V | ||
Antal ben 18 | ||
Maximal matningsspänning 21V | ||
Driftström 3.5mA | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 4 mm | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1mm | ||
Serie STDRIVEG611 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TH
The STMicroelectronics High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches is a high-voltage half-bridge gate driver for N‑channel Enhancement Mode GaN. The high-side driver section is designed to stand a voltage rail up to 600 V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG611 optimized for driving high-speed GaN.
High-side and low-side linear regulators for 6 V gate driving voltage
Fast high-side startup time 5 μs
45 ns propagation delay 15 ns minimum output pulse
High switching frequency (greater than 1 MHz)
Embedded 600 V bootstrap diode
Full support of GaN hard-switching operation
Comparator for overcurrent detection with Smart Shutdown
UVLO function on VCC, VHS, and VLS
Separated logic inputs and shutdown pin
Fault pin for overcurrent, over temperature and UVLO reporting
Stand-by function for low consumption mode