STMicroelectronics Effektswitch IC 4, 18 Ben Hög sida Hög sida STDRIVEG611 QFN

Se alla Effektswitchkretsar
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
330-240
Tillv. art.nr:
STDRIVEG611Q
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Strömbrytartopologi

Hög sida

Strömbrytartyp

Hög sida

Produkttyp

Effektswitch IC

Motstånd vid påslagning RdsOn

3.7Ω

Antal utgångar

3

Antal ingångar

4

Kapseltyp

QFN

Minsta matningsspänning

0.3V

Maximal matningsspänning

21V

Antal ben

18

Driftström

3.5mA

Maximal arbetstemperatur

125°C

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Längd

5mm

Höjd

1mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

4 mm

Fordonsstandard

Nej

Serie

STDRIVEG611

COO (ursprungsland):
TH
The STMicroelectronics High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches is a high-voltage half-bridge gate driver for N‑channel Enhancement Mode GaN. The high-side driver section is designed to stand a voltage rail up to 600 V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG611 optimized for driving high-speed GaN.

High-side and low-side linear regulators for 6 V gate driving voltage

Fast high-side startup time 5 μs

45 ns propagation delay and 15 ns minimum output pulse

High switching frequency (greater than 1 MHz)

Embedded 600 V bootstrap diode

Full support of GaN hard-switching operation

Comparator for overcurrent detection with Smart Shutdown

UVLO function on VCC, VHS, and VLS

Separated logic inputs and shutdown pin

Fault pin for overcurrent, over temperature and UVLO reporting

Stand-by function for low consumption mode

Relaterade länkar