STMicroelectronics I2C 512 kB EEPROM, 450 ns, Yta 8 Ben TSSOP-8

Mängdrabatt möjlig

Antal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

423,40 kr

(exkl. moms)

529,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
I lager
  • 4 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
100 - 2404,234 kr
250 - 4903,942 kr
500 - 9903,618 kr
1000 +3,483 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
151-725P
Tillv. art.nr:
M24512E-FDW6TP
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Minnesstorlek

512kB

Produkttyp

EEPROM

Gränssnittstyp

I2C

Kapseltyp

TSSOP-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Organisation

64k x 8 Bit

Maximal klockfrekvens

1MHz

Minsta matningsspänning

1.65V

Maximal matningsspänning

5.5V

Antal bitar per ord

8

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

85°C

Serie

M24256E-F

Standarder/godkännanden

RoHS

Datalagring

200year

Fordonsstandard

Nej

Antal ord

2

Matningsström

1mA

Maximal slumpmässig åtkomsttid

450ns

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics M24512E-F är ett 512 Kbit I2C-kompatibelt EEPROM (elektriskt raderbart programmerbart minne) organiserat som 64 K x 8 bitar. Den kan fungera med en matningsspänning från 1,6 V till 5,5 V med en klockfrekvens på upp till 1 MHz. Enheten har tre 8-bitars register, nämligen registret för enhetstypidentifiering (DTI), registret för konfigurerbar enhetsadress (CDA) och registret för skrivskydd för programvara (SWP).

Byte och sida skrivs inom 4 MS (typiskt 3,1 MS)

Förbättrat ESD- eller låsningsskydd

Mer än 4 miljoner skrivcykler

Konfigurerbart enhetsadressregister

Enhetstypidentifieringsregister (i skrivskyddat format)

Förprogrammerad enhetsadress

Skrivskyddsregister för programvara

Hårdvaruskrivskydd för hela minnesarray

Slumpmässiga och sekventiella läslägen