onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 1 A NPN 80 V HFE2000, 4 Ben, SOT-223
- RS-artikelnummer:
- 800-9702
- Tillv. art.nr:
- BSP52T3G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
220,30 kr
(exkl. moms)
275,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 450 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 4,406 kr | 220,30 kr |
| 250 + | 2,363 kr | 118,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 800-9702
- Tillv. art.nr:
- BSP52T3G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | Darlington-transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 1A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 80V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Minsta DC-strömförstärkning hFE | 2000 | |
| Transistorns polaritet | NPN | |
| Maximal basspänning för emittern VEBO | 5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.3V | |
| Maximal basspänning för kollektor VCBO | 90V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | BSP52T1 | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Längd | 6.7mm | |
| Maximal kollektor-cut-off-ström | 10μA | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp Darlington-transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 1A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 80V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Antal element per chip 1 | ||
Minsta DC-strömförstärkning hFE 2000 | ||
Transistorns polaritet NPN | ||
Maximal basspänning för emittern VEBO 5V | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.3V | ||
Maximal basspänning för kollektor VCBO 90V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie BSP52T1 | ||
Höjd 1.75mm | ||
Längd 6.7mm | ||
Maximal kollektor-cut-off-ström 10μA | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
RoHS-status: Undantagen
NPN Darlington-transistorer, ON Semiconductor
Standards
Tillverkarens varunummer med prefixet S eller NSV är godkända för fordonsindustrin enligt AEC-Q101-standarden.
Relaterade länkar
- onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 1 A NPN 80 V HFE2000, 4 Ben, SOT-223
- DiodesZetex AEC-Q101, Darlington-transistor 1 2 A NPN 80 V HFE2000, 4 Ben, SOT-223
- DiodesZetex AEC-Q101, Darlington-transistor 1 2 A PNP 120 V HFE2000, 4 Ben, SOT-223
- onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 1 A NPN 80 V HFE1000, 4 Ben, SOT-223
- DiodesZetex AEC-Q101, Darlington-transistor 1 500 mA NPN 60 V HFE2000, 3 Ben, SOT-89
- Infineon AEC-Q101, Darlington-transistor 1 500 mA NPN 60 V HFE2000, 3 Ben, SOT-23
- DiodesZetex AEC-Q101, Darlington-transistor 1 500 mA NPN 60 V HFE2000, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia AEC-Q101, Darlington-transistor 1 500 mA NPN 60 V HFE2000, 3 Ben, SOT-23