onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 2 A NPN 100 V HFE1000, 3 Ben, IPAK

Se alla Darlingtonpar

Antal (1 förpackning med 15 enheter)*

219,35 kr

(exkl. moms)

274,19 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 45 enhet(er) från den 16 november 2026
  • Dessutom levereras 300 enhet(er) från den 23 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
15 +14,623 kr219,35 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
790-5315
Tillv. art.nr:
MJD112-1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

Darlington-transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

2A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

100V

Kapseltyp

IPAK

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Antal element per chip

1

Minsta DC-strömförstärkning hFE

1000

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Maximal basspänning för kollektor VCBO

100V

Maximal effektförlust Pd

20W

Transistorns polaritet

NPN

Maximal basspänning för emittern VEBO

5V

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

MJD112

Höjd

6.35mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.73mm

Maximal kollektor-cut-off-ström

20μA

Fordonsstandard

AEC-Q101

ON Semiconductor MJD112 är kompletterande Darlington-effekttransistorer som är utformade för allround strömförsörjning och omkoppling, t.ex. utgångs- eller drivrutinsstadier, i tillämpningar som omkopplingsregulatorer, omvandlare och effektförstärkare.

Rakt ledningsversion i plastmantel

Dessa enheter är blyfria och överensstämmer med RoHS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.