onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 1 2 A NPN 100 V HFE1000, 3 Ben, IPAK

Se alla Darlingtonpar

Antal (15 enheter, i en förpackning med 15)*

219,35 kr

(exkl. moms)

274,19 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 45 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 345 enhet(er) från den 12 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
15 +14,623 kr219,35 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
790-5315
Tillv. art.nr:
MJD112-1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

Darlington-transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

2A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

100V

Kapseltyp

IPAK

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Antal element per chip

1

Minsta DC-strömförstärkning hFE

1000

Maximal basspänning för kollektor VCBO

100V

Transistorns polaritet

NPN

Maximal effektförlust Pd

20W

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Maximal basspänning för emittern VEBO

5V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.73mm

Standarder/godkännanden

No

Serie

MJD112

Höjd

6.35mm

Maximal kollektor-cut-off-ström

20μA

Fordonsstandard

AEC-Q101

ON Semiconductor MJD112 är kompletterande Darlington-effekttransistorer som är utformade för allround strömförsörjning och omkoppling, t.ex. utgångs- eller drivrutinsstadier, i tillämpningar som omkopplingsregulatorer, omvandlare och effektförstärkare.

Rakt ledningsversion i plastmantel

Dessa enheter är blyfria och överensstämmer med RoHS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.