onsemi, Darlington-transistor 1 500 mA NPN 30 V HFE5000, 3 Ben, TO-92
- RS-artikelnummer:
- 739-0344
- Tillv. art.nr:
- KSP13BU
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
22,96 kr
(exkl. moms)
28,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 880 enhet(er) från den 16 november 2026
- Dessutom levereras 80 enhet(er) från den 16 november 2026
- Dessutom levereras 7 670 enhet(er) från den 23 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 2,296 kr | 22,96 kr |
| 100 - 240 | 1,971 kr | 19,71 kr |
| 250 - 490 | 1,702 kr | 17,02 kr |
| 500 - 990 | 1,501 kr | 15,01 kr |
| 1000 + | 1,389 kr | 13,89 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 739-0344
- Tillv. art.nr:
- KSP13BU
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | Darlington-transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 500mA | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 30V | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Minsta DC-strömförstärkning hFE | 5000 | |
| Transistorns polaritet | NPN | |
| Maximal basspänning för emittern VEBO | 10V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 625mW | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.5V | |
| Maximal basspänning för kollektor VCBO | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 4.58mm | |
| Höjd | 4.58mm | |
| Serie | KSP13 | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Maximal kollektor-cut-off-ström | 100nA | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp Darlington-transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 500mA | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 30V | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Antal element per chip 1 | ||
Minsta DC-strömförstärkning hFE 5000 | ||
Transistorns polaritet NPN | ||
Maximal basspänning för emittern VEBO 10V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 625mW | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.5V | ||
Maximal basspänning för kollektor VCBO 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 4.58mm | ||
Höjd 4.58mm | ||
Serie KSP13 | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Maximal kollektor-cut-off-ström 100nA | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Darlington NPN-transistorer, Fairchild Semiconductor
Bipolära transistorer, Fairchild Semiconductor
Det breda sortimentet av bipolära kopplingstransistorer (BJT) ger kompletta lösningar för olika kretstillämpningar. Innovativa förpackningar är utformade för minimal storlek, högsta tillförlitlighet och maximal termisk prestanda.
Relaterade länkar
- onsemi, Darlington-transistor 1 500 mA NPN 30 V HFE5000, 3 Ben, TO-92
- DiodesZetex, Darlington-transistor 1 800 mA NPN 60 V HFE5000, 3 Ben, TO-92
- onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 2 300 mA NPN 30 V HFE5000, 3 Ben, SOT-23
- DiodesZetex AEC-Q101, Darlington-transistor 1 500 mA NPN 60 V HFE5000, 3 Ben, SOT-23
- DiodesZetex, Darlington-transistor 1 1 A NPN 160 V HFE5000, 3 Ben, E-Line
- onsemi, Darlington-transistor 1 500 mA NPN 50 V HFE1000, 16 Ben, SOIC
- onsemi, Darlington-transistor 7 500 mA NPN 50 V HFE1000, 16 Ben, SOIC
- DiodesZetex AEC-Q101, Darlington-transistor 1 1 A NPN 120 V HFE5000, 3 Ben, SOT-89