onsemi, Darlington-transistor 1 1.2 A PNP 30 V HFE4000, 3 Ben, SOT-23
- RS-artikelnummer:
- 671-1122
- Tillv. art.nr:
- BCV26
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
40,20 kr
(exkl. moms)
50,25 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 625 enhet(er) levereras från den 24 december 2026
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 10 mars 2027
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 04 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 1,608 kr | 40,20 kr |
| 100 - 225 | 0,529 kr | 13,23 kr |
| 250 - 475 | 0,434 kr | 10,85 kr |
| 500 - 975 | 0,426 kr | 10,65 kr |
| 1000 + | 0,412 kr | 10,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-1122
- Tillv. art.nr:
- BCV26
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | Darlington-transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 1.2A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Minsta DC-strömförstärkning hFE | 4000 | |
| Maximal basspänning för emittern VEBO | 10V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorns polaritet | PNP | |
| Maximal basspänning för kollektor VCBO | 40V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | BCV26 | |
| Längd | 2.92mm | |
| Höjd | 0.93mm | |
| Maximal kollektor-cut-off-ström | 0.0001mA | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp Darlington-transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 1.2A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 30V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Antal element per chip 1 | ||
Minsta DC-strömförstärkning hFE 4000 | ||
Maximal basspänning för emittern VEBO 10V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorns polaritet PNP | ||
Maximal basspänning för kollektor VCBO 40V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie BCV26 | ||
Längd 2.92mm | ||
Höjd 0.93mm | ||
Maximal kollektor-cut-off-ström 0.0001mA | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Darlington PNP-transistorer, Fairchild Semiconductor
Bipolära transistorer, Fairchild Semiconductor
Det breda sortimentet av bipolära kopplingstransistorer (BJT) ger kompletta lösningar för olika kretstillämpningar. Innovativa förpackningar är utformade för minimal storlek, högsta tillförlitlighet och maximal termisk prestanda.
Relaterade länkar
- onsemi, Darlington-transistor 1 1.2 A PNP 30 V HFE4000, 3 Ben, SOT-23
- onsemi, Darlington-transistor 1 1.2 A NPN 30 V HFE4000, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia AEC-Q101, Darlington-transistor 2 500 mA NPN 30 V HFE4000, 3 Ben, SOT-23
- onsemi, Darlington-transistor 1 1.2 A PNP 30 V HFE10000, 4 Ben, SOT-223
- onsemi, Darlington-transistor 1 800 mA NPN 80 V HFE10000, 3 Ben, SOT-23
- onsemi AEC-Q101, Darlington-transistor 2 300 mA NPN 30 V HFE5000, 3 Ben, SOT-23
- DiodesZetex AEC-Q101, Darlington-transistor 1 -500 mA PNP 60 V HFE10000, 3 Ben, SOT-23
- DiodesZetex AEC-Q101, Darlington-transistor 1 -800 mA PNP 100 V HFE5000, 3 Ben, SOT-23